新型半导体白光LED照明用荧光材料的制备及性能研究 -.docVIP

安徽工业大学 本科毕业设计(论文)任务书 课题名称 新型半导体白光LED照明用荧光材料的制备及性能研究 新型半导体白光LED照明用荧光材料的制备及性能white LED，Gd,Ce:YAG ，fluorescent material ，optical property 目录 摘要 1 ABSTRACT 2 第一章 绪论 6 1.1 引言 6 1.2 LED产业现状 6 1.3 白光LED的实现方法 7 1.4 荧光材料介绍 8 1.4.1荧光粉 8 1.4.2 陶瓷及玻璃荧光材料 8 1.4.3 Ce:YAG 单晶荧光材料 9 1.4.3.1 Ce:YAG晶体的结构和性能 9 1.4.3.2 Ce:YAG单晶荧光材料相对于荧光粉的优势 11 1.5本论文的研究目的、内容及意义 12 1.5.1本论文的研究目的及意义 12 1.5.2 研究内容 12 第二章 实验部分 14 2.1 Ce:YAG及Gd,Ce:YAG晶体的生长 14 2.1.1 提拉法Czochralski（CZ）概述 14 2.1.2 晶体的生长装置 14 2.1.3 晶体生长原料的准备 15 2.1.3.1 Ce:YAG晶体原料的准备 16 2.1.3.2 Gd,Ce:YAG晶体原料的准备 16 2.1.4 提拉法生长YAG晶体的生长流程 16 2.2晶体测试样品制备 17 2.2.1 XRD测试用样品 17 2.2.2 光谱性能测试用样品 18 2.2.3 白光LED光色参数测试用样品 18 2.3 样品测试分析方法 18 2.3.1 X射线衍射法 18 2.3.2 晶体的吸收光谱法 18 2.3.3 晶体的荧光光谱法 19 2.3.4 白光LED光色电参数的测试 19 第三章 Ce:YAG荧光晶体的光电学性能研究 21 3.1 Ce:YAG 荧光晶体的XRD衍射图谱 21 3.2 Ce:YAG晶体的吸收光谱 21 3.3 Ce:YAG晶体的荧光光谱 23 第四章 Gd,Ce:YAG晶体光学性能的研究 26 4.1 Gd,Ce:YAG晶体的XRD图谱 26 4.2 Gd,Ce:YAG晶体的吸收光谱 26 4.3 Gd,Ce:YAG晶体的荧光光谱 27 4.4 Gd,Ce:YAG晶片结构白光LED的光色电性能 28 4.5 Ce:YAG晶体与稀土离子共掺杂Ce:YAG晶体光色电性能的对比 29 总结 31 参考文献 32 致谢 33 附录1英文原文 34 附录2英文译文 44 新型半导体白光LED照明用荧光材料的制备及性能研究 钇铝石榴石 钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶体是一种重要的闪烁晶体，多用于激光基质材料以及光学衬底材料。钇铝石榴石分子式为Y3Al5O12属于立方晶系，晶格常数为1.2008。 (2-1) 其中x为Ce原子的摩尔百分比，我们取x=1.0%。将称量好的原料在混料桶中连续混12小时以上，再将混和均匀的原料在液压机下压成Φ70×30 mm的料饼，将压好的料饼放入刚玉坩埚，在空气气氛中，1200℃温度条件下灼烧约10小时，烧结好的原料应放入干燥箱备用。 2.1.3.2 Gd,Ce:YAG晶体原料的准备 Gd,Ce:YAG晶体生长所用原料为纯度为99.999%的Gd2O3、Al2O3、Y2O3和CeO2，原料按照2.1.2.1节所述的方法进行处理，然后按照方程式2-5准确称量。反应的化学方程式为： (2-5) 其中x、y分别为Ce、Gd原子的摩尔百分比，我们取x=1.0%，y=30%。将原料混合，压饼，烧结后备用。 2.1.4 提拉法生长YAG晶体的生长流程如下 具体操作方法如下： （1）籽晶的选择：籽晶的方向以及质量直接影响了提拉晶体的质量。生长单晶体采用同种基质籽晶的原则，我们选择了〈111〉方向的纯YAG晶体制备籽晶，籽晶尺寸为 Φ8×50mm。 （2）装炉：为了保证炉内径向温度轴对称分布，装炉时，需通过在籽晶杆上悬挂一铁锥来校正并确保感应线圈中心、石英保温罩中心、坩埚中心及籽晶中心在一条铅垂线上。除此之外，选择合适的温场环境也很重要。选择合适的保温罩，并通过加盖不同口径的氧化锆环来调整固液界面处以及整个生长腔内的温度梯度。 （3）炉膛充气：由于生长用坩埚为铱金坩埚，容易被氧化，而损耗大量铱金，造成浪费，所以生长气氛采用惰性气氛，生长时常使用高纯氮气。我们先将炉膛抽成真空，依次开机械泵和扩散泵抽至炉内气压约为10-3Pa，然后向炉内充高纯氮