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真空概論 Uvat Tech 友威科技 課 程 內 容 目 錄 真空 (Vacuum) 電漿 (Plasma) 濺鍍 (Sputtering) 蒸鍍 (Evaporation) 真空(Vacuum) 真空(Vacuum)的定義 真空常用的壓力單位 真空的分類 真空中氣流的形態 平均自由徑 真空(Vacuum)的定義 在一特定空間(容器，Chamber)內之壓力小於1大氣壓，即稱為“真空”狀態。 大氣 真空 黏滯流：氣體分子之間有碰撞，且受周圍氣體分子的限制，存有摩擦力(黏滯性)，氣流的方向與分子運動方向一致。 過渡流：一部份黏滯流，一部份分子流。 分子流：氣體分子完全任意自由運動，分子間為彈性碰撞。 抽氣方向 黏滯流 抽氣方向 分子流 真空中氣流的形態 平均一個粒子在碰撞其他粒子前所走的距離 可做為氣體分子對真空中運動粒子干擾程度的衡量標準 d1 d2 d3 dn λ = (d1+d2+d3+···+dn)/n 平均自由徑 電漿(Plasma) 電漿(Plasma)的原理 電漿的種類 RF電漿的原理 O2電漿處理 Ar電漿處理 電漿處理的目的 RF電漿參數 電漿(Plasma)的原理 電漿(Plasma):電子在電場中加速而與中性氣體分子或原子發生非彈性碰撞，產生離子化(Ionization) 、解離(Dissociation)或激發(Excitement)而形成離子化氣體。 電漿為一複雜的物質狀態其所有組成包括離子、電子、中性原子與分子、受激態粒子、紫外線等，有異於固態、液態、氣態亦被稱為物質的第四態。 電漿的種類 依環境分類 大氣電漿(電暈),真空電漿 依電源分類（常用） 直流電漿,射頻(RF)電漿,微波電漿等. 依製程氣體分類(常用) 氧氣電漿,氬氣電漿,氮氣電漿等. RF電漿的原理 製程氣體 電極 交流電源,13.56MHZ 基板 當帶電粒子碰撞基板表面,即發生電 漿處理 電極為正電位時, 正粒子被排斥飛向基板 負粒子被吸引飛向電極 電極為負電位時, 正粒子被吸引飛向電極 負粒子被排斥飛向基板 以13.56MHZ的頻率(RF頻率)切換正負電位 使帶電粒子在電極與基板間來回震盪 O2電漿處理 改質/活化(O2電漿) – 增加表面極性 C – C - C- C - C O2 plasma C - C - C- C - C = 0 OH OH O Ar電漿處理 C - C – C - C - C Ar plasma C C 清潔(Ar電漿) –轟擊去除附著物，去除氧化層 電漿處理的目的 增加基板的潤濕性/親水性→接觸角變小 有時效性 水滴 處理前 水滴 處理後 處理前 處理後 壓力(真空度)：10-2 ~ 1 Torr 通入氣體種類及通量 功率 處理時間 抽氣時間 RF電漿參數 濺鍍(Sputtering) Sputtering (濺射原理) 濺鍍參數設定 氣體壓力 製程氣體通量 鍍膜功率 鍍膜時間使用靶數 磁控濺鍍 磁控濺鍍的特性 Vacuum pump 在真空環境中 電極(Cathode)通入 電流使其放電 製程氣體(Ar)通入 Ar離子撞擊靶材表面 釋出原子 Target Material (Cathode) Energy Ar離子在電漿中移動 Gas Plasma Ar解離形成電漿 靶材原子落在基材上,形成薄膜 SPUTTERING(濺射原理) 氣體壓力 製程氣體通量 鍍膜功率 鍍膜時間使用靶數 濺鍍參數設定 壓力高→腔體內部氣體粒子少 →撞擊靶材的Ar+變少 壓力低→腔體內部氣體粒子多→Ar+變多 →Ar+到達靶材前碰撞其他粒子機率變大 →靶原子到達基板前與氣體碰撞的機率變大 Ar 低真空鍍膜 Al Al Ar+ Ar+ Ar+ Al Ar 高真空鍍膜 Ar+ Al Al Al Ar+ 氣體壓力 通入太少 →無法維持電漿 通入太多 →未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體 →增加pump之負荷 →與靶原子一起沉積在基板上的機率變大 須視鍍膜壓力來設定通入量 製程氣體通量 鍍膜功率 高功率 →單一離子所擊出的靶原子較多 →可縮短鍍膜時間 →瞬間產生的熱較多 →靶材利用率較差 低功率→單一離子所擊出的靶原子較少 →會延長鍍膜時間 →鍍膜溫度較低 →靶材利用率較佳 鍍膜時間使用靶數 鍍膜厚度的直接影響參數 可利用功率×時間×靶數之乘積變換不同參數鍍相同膜厚 8KW × 2S × 3靶 ＝ 8KW ×