1eV吸收带边GaInAsGaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 21 (2013) 218801 1 eV 吸收带边GaInAs/GaNAs 超晶格太阳 能电池的阱层设计* 12 1† 12 12 1 1 王海啸 郑新和 吴渊渊 甘兴源 王乃明 杨辉 1) ( 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123 ) 2) ( 中国科学院大学, 北京 100080 ) ( 2013 年5 月16 日收到; 2013 年8 月15 日收到修改稿) 使用In, N 分离的GaInAs/GaNAs 超晶格作为有源区是实现高质量 1eV 带隙GaInNAs 基太阳能电池的重要方 案之一. 为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构, 本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney 模型比较了不同阱层材料选择下, 吸收带边为1 eV 的GaInAs/GaNAs 超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变 状态. 结果表明: GaNAs 与GaInAs 作为超晶格阱层材料在实现1 eV 的吸收带边时具有不同的考虑和要求; 在固定 1 eV 的吸收带边时, GaNAs 材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿, 将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能 电池有源区. 关键词: GaInAs/GaNAs 超晶格, Kronig-Penney 模型, 太阳能电池 PACS: 88.40.H, 73.21.Cd DOI: 10.7498/aps.62.218801 究人员提出使用In 和N 空间分离的GaInAs/GaNAs 67 1 引言 超晶格结构来解决这一问题 . 实验上, Tomoyuki 6 等 最早使用金属有机物气相沉积技术生长出 四元化合物半导体GaInNAs 自1996 年被发展 Ga053In047As/GaN0004As0996 短周期超晶格结构; 成一种非常适宜用作长波长(0.9—1.55 m, 能量为 Hong 等 78 则利用气态源分子束外延技术生长 1 0.8—1.4 eV) 激光器的材料以来 , 人们就在这一 出应变超晶格Ga092In008As/GaN003As097 结构, 该 波段探索其在半导体器件中的潜在应用. 在太阳 种超晶格在室温下的光致发光强度是对应GaIn- 能电池方面, 计算表明了利用带隙为 1 eV 的子电 NAs 体材料的 3 倍, 材料质量大大提高. 在器件 池代替常规GaInP/GaAs/Ge 三结电池中的Ge 电池 应用方面, Wu 等 911 将吸收带边为 1.2 eV 的 2 是提升电池转换效率的重要方案之一 . 同时, Ge