InGaAsSbAlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $’ % ##( % ， ， ， XM5 6$’ WM 6 % Y/-B/L@ ##( （ ） %###=’J#4##(4$’ #% 4#%=# 0TU0 89V2,T0 2,W,T0 ##( TZ- 6 8Z@1 6 2MI 6 ############################################################### !#$%’() %*#$%’( 长波长多量子阱激光器 有源区的优化设计! ! 徐刚毅 李爱珍 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海 ###$# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## % ##’ ( %( 系统地研究了波长为 的 多量子阱激光器中有源区的优化设计 分别用含应变势的 )* + ,-./0123405./0123 6 ! 带 模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构，并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解，由此计算量子阱在 78 载流子注入时的增益谱 研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元，而是粒子数反转程度，尤其是空穴 6 填充 子带的概率 增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益 前者降低了价带 子带空穴的平面内有效 99% 6 6 99% 质量；后者拉大了价带子带间距，尽管它同时略微增加了空穴有效质量6 这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降 低，提高了空穴在 子带的填充概率，最终提高了量子阱的增益 所得结论与已有的实验报道相符 99% 6 6 关键词：长波长量子阱激光器，能带结构，增益谱 ： ， ， +%,, *%*#: *’#; *$7 光器为对象，研究激光器有源区的优化设计6 通过研 %) 引 言 究量子阱的增益与其结构参数之间的关系来回答上 述两个问题 采用 带 模型求解价带的能带结 6 78 多量子阱（ ）激光器是 构，并引入晶格失配产生的应变势 采用抛物带模型 ,-./0123405./0123 FGH 6 — 波段的理想光源，在痕量气体检测、分子光 计算导