CdSeCdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 , @ +! @ ， ， ， KLM %, HL %@ NO)3 +! （ ） !+B4+!4, @ 4 !!@=, .0’. 9IG2J0. 2JHJ0. $+! 0PQ) % 9PR/ % 2LS % !#$% !’#$ 多量子阱的激子光学性质的研究! 张希清 梅增霞 段 宁 徐 征 王永生 徐叙 （北方交通大学光电子技术研究所，信息存储、显示与材料开放实验室），北京 !## ） $ % % ’()* （香港科技大学物理系，中国香港） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） + ! !, + !+ !! 用分子束外延在 衬底上生长了 多量子阱结构 利用 射线衍射（ ）、变密度激发的 光 -(./ 01234 015)23 % 6 678 9: 谱、变温度 光谱和变密度激发的 时间分辨光谱研究了 多量子阱结构和激子复合特性 讨论了随 9: ;/ 01234 015)23 % 温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 发现不同激发密度下发光衰减时间不同，认为它的机理可能 % 是无辐射复合引起的 在该材料中观测到激子 激子散射发射峰，它被变密度激发和变温度 光谱所证实 % 9: % 关键词： ，量子阱，光学性质 01234 015)23 ： ， ， ()!! =#: =?#= =?@, 射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 发现在低 % ! 引 言 密度不同激发密度下发光衰减时间不同，认为它的 机理可能是无辐射复合引起的% 在该材料中观测到 族半磁半导体具有非常显著的磁光效应， 激子 激子散射发射峰，并被变密度激发和变温度 ! 如自塞曼分裂、自法拉第效应等，在制作高速光开关 9: 光谱所证实% ［ ］ 等精密光学器件中具有重要的作用! A B % 族半 ! 磁半导体多量子阱和超晶格结构已有一些报 + 实验结果和讨论 ［ ］