Al和Ni共掺ZnO光学性质的第一性原理研究.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ %( ， ， ， FP- 0’ .P 0 ,==QR %( （ ） $1E%(J%(J’ J’5%31 ,HK, LMNOGH, OG.GH, #%( H?/* 0 L?8Q 0 OPC 0 和 共掺 光学性质的第一性原理研究! ! #$ %’ ! 关 丽 李 强 赵庆勋 郭建新 周 阳 金利涛 耿 波 刘保亭 （河北大学物理科学与技术学院，保定 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % $$ $’ %( $ % 利用第一性原理方法研究了纯 以及掺杂 ， 和（ ， ）共掺的 材料，对掺杂前后晶体的几何结构、 )*+ ,- ./ ,- ./ )*+ 能带结构和电子态密度，特别是光学性质进行了比较分析 计算结果表明，纯 与 ， 和（ ， ） 0 )*+ ,-1)*+ ./1)*+ ,- ./ 1)*+ 的介电函数虚部在低能区有明显的差异，但在高能区则较为相似 在光学性质上， 较之 在可见光区 0 ,-1)*+ ./1)*+ 的吸收系数和反射率都非常低，反映其在可见光区有高透过率 而两原子共掺后的（ ， ） ，其光学性质较之 0 ,- ./ 1)*+ 单原子掺杂的情况有非常显著的变化0 关键词： ，掺杂，第一性原理，光学性质 )*+ ： ， ， ， (!)) #$$’, #$$’2 #34 #5’6 的位置明显影响其铁磁性和反铁磁性，并且在掺./ 的 中再掺入 ， 能够使铁磁性增强、居里温 $D 引 言 )*+ ,- I/ 度升高 最近，文献［ ］报道掺 的 电子结构 0 % H )*+ )*+ 是 — 族直接带隙的氧化物半导体，能 和光学性质，并着重比较了 替代 位掺杂和 替 ! H + H ［］ 隙宽度为E DE# AF