漂移区的改进对SOI+LDMOS频率特性的影响研究.pdfVIP

第28卷专刊 应用光学 V01．28Sup． of 2007年12胃 AppliedOptics Dec。2007 Journal 文章编号：1002，2082(2007)SO．0094．03 LDMOS频率特性的影响 漂移区的改进对SOl 曲 越，李德昌，习 毓，姜雨男，何 琳 (西安电子科技大学技术物理学院，陕西西安710071) 摘 要：借助ISE软件，以调试后各参数幢能优良的匿形化S01LDMOS器件为访真平台，采餍 StepLDD结构、层藏LDD结构、阶梯掺杂结构以及“鸟嘴”结构来降低输出电容，提高器件的频率 转蛀。模拟结暴表明：这4秘方法最多可分别降低徐盘电容88．4％，98。S％，43％和85．5％。 关键词：漂移区；输出电容；频率特性；岛嘴结构 中图分类嚼：TN9