自旋电子学研究进展(磁学会议).pptVIP

Motorola MTJ MRAM structure 写入 读出 位线 字线 写线 写线 位线 字线 WWL RWL GND BL MTJ CMOS MRAM与现行各存储器的比较（F为特征尺寸） 技术 DRAM FLASH SRAM MRAM 容量密度 256 GB 256 GB 180 MB/cm2 256 GB 速度 150 MHz 150 MHz 913 MHz 500 MHz 单元尺寸 25 F2/bit 2 F2/bit ? 2 F2/bit 联接时间 10 ns 10 ns 1.1 ns 2 ns 写入时间 10 ns 10 ?s ? 10 ns 擦除时间 1 ns 10 ?s ? 10 ns 保持时间 2.4 s 10 years ? 无穷 循环使用次数 无穷 105 无穷 无穷 工作电压(V) 0.5-0.6 V 5 V 0.6-0.5 V 1 V 开关电压 0.2 V 5 V ? 50 mV MRAM DRAM FLASH 256Kb MRAM chip Courtesy of Motorola 非挥发性 高的集成度 高速读取写入能力 重复可读写次数近乎无穷大 功耗小 ● ● ● ● ● ● 基于TMR构建的磁存储器(MRAM)具有 MRAM具有抗辐照能力 （国防、航天至关重要） ● MRAM 内存储器：非挥发性；抗辐照；速度快 外存储器：比Flash存取速度快1000倍; 功耗小；寿命长；密度高 可能取代闪存Flash和硬盘 Progress in MRAM 国外研究现状和发展趋势 2003年在日本文部省和通产省支持下己基本完成100-200Gbit/in2磁读出头原型器件的研制。并又投入数十亿日元开展256M容量的MRAM演示芯片的研制。 四、半导体自旋电子 金属-半导体界面势垒 金属-真空界面 ?m ：功函数,金属中的电子逸出到真空中所 需要的最低能量 ??B ：外加电场使势垒降低值 -Ex ：外加电场 热电子发射：金属中的电子靠热运动能量逸出 金属的电子。 金属-半导体界面 Χs ：电子亲和能，导带底的电子进入真空所需 要的能量 ?s ：半导体功函数，从真空能级到费米能级的 能量差 肖特基效应：外加电场导致金属势垒降 低的现象 例如：外加电场为E=106(V/m)，那么，势垒 的顶点出现在x=23.5nm处，??=39(meV) 金属-半导体整流结称为肖特基势垒 对于p型半导体： ?mχs?s 时形成整流接触 ?mχs?s 时形成欧姆接触 n 型半导体与金属接触形成的肖特基势垒 ?B=?m-χs-??, ??是由于界面电场导致势垒的降低 肖特基势垒 ?B ： 自旋注入方式： ( STM ) 1. 2. 3. 4. 欧姆接触 弹道点接触 隧道注入 热电子注入 ( STM ) I v MR~0.55％ 通过铁磁层把自旋电子注入二维电子气 ( 实验 ) 接触尺寸 2x16?m2 例一 Reported spin injection efficiency :2% T=25K Zhu etal.，PRL 87.016601(2001) 例二 1. 2. 3. 自旋检测 自旋阀检测 电位计检测 n,p type P-GaAs(100) P-AlGaAs 570nm AlGaAs 75nm GaAs 50nm AlGaAs 15nm AlGaAs 100nm GaAs 5nm MgO 3nm CoFe 5nm Ta 10nm LEDs Optical Detection 光检测 自旋注入的电极材料解决肖特基势垒问题 高自旋极化率材料 为什么要研究半金属材料和稀磁半导体? 混合价钙钛矿CMR 稀磁半导体 ? ? 稀磁半导体 EF ?? ?sf Type M? Fe3O4, Sr2FeMoO6 Mn2VAl Type M? EF ?? ?sf ?? Examples: CrO2; NiMnSb (Co1-xFex)S2 (La0.7Sr0.3) O3 Type I half metals 半金属特征： 少数自旋在费米面态密度为零 * 自旋电子学研究进展 一、序言