太赫兹光谱和成像技术及其应用研究.pdfVIP

太赫兹光谱和成像技术及其应用 赵国忠 首都师范大学物理系 北 京 100037 摘 要 介绍了太赫兹光谱和成像技术的有关方面 特别是基于飞秒激光的太赫兹辐射和探测技术 以及太赫 兹光谱和成像技术在国家安全 材料诊断 无损检测和生物医学方面的应用 对于太赫兹技术存在的问题以及今后发 展方向 作了简要的论述 关键词 太赫兹 光谱 成像 技术 应用 中图分类号 O433 Terahertz Spectroscopy and Imaging Technology and its Application Zhao Guozhong 太赫兹 TeraHertz or THz电磁辐射的产生与探 射 最近发现p型掺杂的砷化铟(p-InAs)可以作为高效 测 是实现THz波段 0.1-10THz或30m-3mm光谱 的半导体表面发射极 飞秒激光脉冲激发的光生载流 学与成像应用的前提和基础 是开发人类迄今为止尚 子在内建的表面耗尽场 或光学丹 未完全了解的最后一个电磁波谱 空白 区的钥匙和 倍儿场(Photo-Dember Field)中加速运动向外辐射电磁波 敲门砖[1-5] [2] 太赫兹波的产生与探测不仅涉及电磁学 这两种发射极都要求半导体禁带宽度小于飞秒激 光学 电动力学 量子力学和固体物理学等基础物理 光的光子能量 从而可以激发光生载流子 第三种THz 学知识 而且需要半导体物理学 激光物理学 非线 发射极是利用非线性光学整流效应 飞秒激光脉冲电 性光学 半导体材料与器件 以及数字信号处理 自 场激发低频的极化电场 从而辐射THz电磁波[3] 目 动控制与检测 数据采集与分析等多门学科的知识与 前 实验室常用 110碲化锌(ZnTe)电光晶体或 110 技能 因此成为一个热门的交叉学科研究领域 另一 GaAs作为光整流发射极 方面 THz电磁辐射产生与探测的研究 又为有关学 太赫兹电磁辐射的探测有几种不同的方法 文献 科的研究提供了新的手段和方法 注入了新的生命 中常见的主要提到了三种探测方法 热辐射探测 时 THz技术具有许多潜在应用 例如THz光谱 测 控光导天线和时控电光取样探测 热辐射探测需要在 距和成像系统[6-7] 较低的温度下进行 飞秒激光器激发的THz辐射的产 并且所探测到的信号为THz辐射 生 探测和应用方面的研究 引起了越来越多的关注 的平均能量或功率 但经过标定可以做到THz辐射功 对THz辐射的产生和探测的研究 不仅是太赫兹光谱 率的绝对测量 在0.1-3THz的频率范围内 相同的THz 技术的基础和保障 而且加深了对超快现象的理解 平均能量和低频调制条件下 对比自由空间电光取样 并可应用于广泛领域 这些技术对于标识超高速电子 和光导天线对THz辐射的探测发现 频率在3THz以下 材料 仪器和系统 及探索和解释远红外光谱范围的 时 天线探测的信噪比和灵敏度较高 自由空间电光 基本物理现象是必不可少的[8] 取样技术的优点 是能够实现高达37THz的高探测带 基于飞秒激光脉冲的太赫兹电磁辐射的产生 按 宽 时控探测相对于热辐射探测 可以压缩本征热背 其辐射机理可以分为三类 其一为光导天线发射 目 景噪声 更重要的是 可以探测THz电场强度随时间 前最常使用的是在低温生长的砷化镓(LT-GaAs)上制备 的变化 从而不仅可以度量THz电场的频域光谱 而 电极 飞秒激光脉冲激发的光生载流子在外加电场作 且还可以获得有关THz电场相位变化