SiO2薄膜的电导与击穿机制的研究.pdfVIP

2000年10:月。广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 Si02薄膜的电导与击穿机制的研究 许铭真 谭长华 北京大学橄电子所。100871 I.前育 sio,薄膜是mos超大规模集成电路的重要的姗绝缘材料。随着MOs集成电路的迅速发 展，MOs器件尺寸已进人深亚微米，姗Si02厚度已经减至 10纳米以下。 SiO2薄膜的 失效成为集成电路可靠性的重要限制因素之~。为了应用加速应力实验得到的高场下的击 穿时间与应力电场之间的关系来预侧实际应用电场下的使用寿命，近三十年来，围绕着这 个难月进行了大级的理论与实脸研究.其中以美国U.C.Berkeley的 C.Hu为代表的空穴 击穿模型(或称为阳极空穴注人模型)[1,21和美国德州仪器公司 J.W.Mcpherson 提 出的场极化模型[3,41 (又称为E模型)，是目前可么用于寿命预测计算的两个模型。 但 是.阳极空穴注人模型，不能用于低电场下的寿命预测，因为它过高的估计了其寿命值。而 可以描述较低电场下的击穿时间 (tea) 与电场强度 (F_) 之间的