物质结构与性质离子晶体课件.ppt

* 离子晶体 （ionic crystal） 叶峰 2006.5.24 复习： 离子键的定义： 离子键的实质： 哪些元素之间易形成离子键？ 写出下列物质的电子式： MgCl2 Na2O KBr K2S 使阴阳离子结合成化合物的静电作用 阴阳离子间的静电作用（静电引力和静电斥力） 活泼的金属元素（IA IIA） 活泼的非金属元素 （VIA VIIA） 晶格能 影响因素 NaCl晶体 CsCl晶体 NaCl晶体 离子晶体 明矾晶体 离子晶体 晶格能 影响因素 1、定义：由阴阳离子通过离子键所形成的晶体。 2、构成微粒： 3、微粒之间的作用力： 4、物理性质： 5、常见的离子晶体 阴阳离子 离子键 a、具有较高的熔沸点，难挥发 b、硬度大 c、固态不导电，熔融状态或水溶液中能导电 大多数盐、强碱、活泼金属的氧化物 NaCl晶体 CsCl晶体 在离子晶体中阴阳离子之间存在强烈的相互作用（离子键），要克服离子间的相互作用力而使物质熔化或沸腾，就需要较多的能量，因而离子晶体有较高的熔沸点。 金属键 金属的原子化热 离子键 晶格能 晶格能 影响因素 离子晶体 NaCl晶体 CsCl晶体 离子晶体在熔化时，温度升高，阴阳离子的运动加快，离子键断裂，产生自由移动的离子。 在水溶液中，由于水分子的作用，NaCl中的离子键断裂，形成水合钠离子和水合氯离子。 离子晶体固态不导电，熔融状态或水溶液中能导电 练习2 晶格能 影响因素 离子晶体 NaCl晶体 CsCl晶体 晶格能（U）——衡量离子键强弱 1、定义：拆开1mol离子晶体使之形成气态阴阳 离子时所吸收的能量。 符号：U 单位：kJ·mol-1 NaCl(s)→ Na+(g) +Cl-(g) △H=U=786 kJ·mol-1 晶格能越大 离子键越强 阴阳离子结合越牢 熔点越高，硬度越大 晶格能 影响因素 离子晶体 NaCl晶体 CsCl晶体 （正值） 2、影响晶格能的因素 NaF NaCl NaBr 晶格能（ kJ·mol-1 ）923 786 747 熔点（ ℃ ） 993 801 747 离子电荷数 1 1 1 核间距（pm） 231 282 298 核间距越小 阴阳离子之间的相互作用越强 晶格能越大 离子键越强 熔点越高 硬度越大 核间距=r阳 + r阴 晶格能 影响因素 离子晶体 NaCl晶体 CsCl晶体 rF- rCl- rBr- NaF CaO 核间距（pm） 231 240 晶格能(kJ·mol-1 ) 923 3401 离子的电荷数 1 2 离子的电荷数越多 阴阳离子之间的相互作用越强 晶格能越大 离子键越强 熔点越高 硬度越大 练习1 晶格能 影响因素 离子晶体 NaCl晶体 CsCl晶体 离子晶体 晶格能 影响因素 NaCl晶体 NaCl晶体（阴离子按面心立方堆积） 晶胞中离子的个数： Na+: 12?(1/4)+1=4个 Cl￣: 8?(1/8)+6 ?(1/2) = 4 个 配位数： Na+：6（Na+吸引6个Cl-） Cl-：6 （Cl-吸引6个Na+） 属于NaCl型的有：KCl NaBr LiF CaO MgO NiO CaS CsCl晶体 离子晶体 晶格能 影响因素 CsCl晶体 NaCl晶体 CsCl晶体（阴离子按简单立方堆积） 晶胞中离子的个数： Cs+: 1个 Cl￣: 8?(1/8) = 1 个 配位数： Cs+：8（Na+吸引8个Cl-） Cl-：8 （Cl-吸引8个Na+） 属于CsCl型的有：CsBr CsI TlCl NH4Cl 练习3 练习4 练习1 比较下列离子晶体的熔点高低： MgO SrO CaO BaO 熔点：MgO CaO SrO BaO 硬度： MgO CaO SrO BaO 电荷：+2 R0=R阳+R阴 阴离子半径相同，主要取决于阳离子半径 阳离子半径：Mg2+Ca2+Sr2+Ba2+ 晶格能：MgO CaO SrO BaO 思路：熔点→晶格能→核间距， 离子的电荷 LiCl NaCl KCl CsCl 熔点： LiClNaCl KCl CsCl 半径的比较