电子材料 01 概述.pptVIP

电子材料与工艺 1.1 半导体 电信号处理工业始于上个世纪初的真空管，真空管使得收音机、电视机和其他电子产品成为可能。它也是世界上第一台计算机的大脑。 真空管的缺点是体积大、功耗大，寿命短、工作温度低、电性能差。当时这些问题成为许多科学家寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年 12月23日得以实现。也 就是第一只Ge合金管的 诞生。 50年代随着硅平面制造工艺的出现，很快就出现了用硅材料制造的晶体管。 由于硅材料(熔点温度1415℃)的制造温度和硅晶体管的工作温度都优于锗(熔点温度937℃) ，加之SiO2的天然生成使得硅晶体管很快取代了Ge晶体管。 1.2 固态器件 固态器件不仅是指晶体管，还包括电阻器和电容器。 微电子学主要研究半导体器件物理与固体物理，电子材料与固体电子器件，超大规模集成电路（ ULSI ）的设计与制造技术，微电子系统与微机械以及计算机辅助设计制造等 微电子与固体电子学——二级学科 微电子与固态电子学——清华 成都电子科技大学——微电子与固体电子学院，材料科学与工程专业 1.3 集成电路 1.4 工艺和产品趋势 工艺的改进——是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高的密度，更多的数量和更高的可靠性。 尺寸和数量是IC发展的两个共同目标。 芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸，是IC工艺先进水平的主要指标。 特别值得注意的是芯片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD，将此定义为制造复杂性水平的标准。例如，如果芯片上的最小尺寸是0.18?m ，那么这个尺寸就是 CD 。 多年来，器件的 CD 一直在缩小， 20 世纪 50 年代初期的 CD 大约是 125?m ，目前是 90nm 或更小。 Gordon Moore在1964年预言IC的密度每隔18～24个月将翻一番，------摩尔定律。 特征尺寸的减小和电路密度的提高产生的结果是：信号传输距离的缩短和电路速度的提高，芯片或电路功耗更小。 半导体工业包括材料供应、电路设计、芯片制造和半导体工业设备及化学品供应五大块。 目前有三类企业：一种是集设计、制造、封装和市场销售为一体的公司；另一类是做设计和销售的公司，他们是从芯片生产厂家购买芯片；还有一种是芯片生产工厂，他们可以为顾客生产多种类型的芯片。 1.6 器件制造 半导体器件制造分4个不同阶段： 1.材料准备 2.晶体生长与晶圆准备 3.芯片制造（设计、材料） 4.封装（技术和材料） 第一步 材料准备 第三步 芯片制造，拣选，测试 二、微电子材料简介 半导体材料 根据物质的导电性质，将它们分为良导体(电阻率?≤10-6??m)，绝缘体(电阻率?≈1012~1022??m)，介于这两者之间的半导体三大类。 半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。 半导体的主要特征是： 负的温度系数 电阻率大体在 10-3~108??m范围 禁带宽度0 ? Eg ? 3 eV 具有整流效应 对光具有敏感性，能产生光伏效应或光电导效应 化合物半导体——其中用的最多的是砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）等。主要用来制作发光二极管和微波器件。 砷化镓的分子式为GaAs，分子量是144.64。是典型无机化合物半导体。暗灰色金属状的晶体，熔点1238℃。能隙(energy gap) 1.4eV。其单晶的制法是先熔化材料，将结晶往上拉，制成含杂质浓度1015/cm3左右晶体，再以浮区法加以精制。 磷化镓的分子式为GaP，熔点高达1525℃，其磷成分容易蒸发，不易获得单晶，直到高压熔化拉升法的开发，才可得到单晶晶体。 磷砷化镓是砷化镓和磷化镓的合成物，其磷和砷为五价元素，镓是三价元素，所以GaAsxP1-x表示砷和磷的原子数加起来等于镓的原子数。 化合物半导体的特点—— 载流子的迁移率比硅高，这种特性使得在通信系统中比Si器件更快的响应高频微波并有效地把它们转变为电流。 抗辐射能力强。 制造成本较Si大，而且没有天然的氧化物。 化合物半导体的优势与不足—— 许多化合物半导体具有与硅不同的电和光电特性。这些半导体，特别是砷化镓(GaAs)，主要用于高速光电器件。 与元素半导体相比，制作单晶体形式的化合物半导体通常需要较复杂的程序。 化合物半导体的技术不如硅半导体技术成熟。 硅的电阻率与掺杂（载流子）浓度的关系 本征半导体 本征半导体是一种纯净的半导体晶体。常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。 半导体硅和锗都是4价元素，其原子结构如图1.1(a