X射线光刻技术研究.pdfVIP

X射线光刻技术研究 叶甜春 谢长青 陈大鹏 李兵 刘训春 仇玉林 (中国科学院微电子中心 北京650信箱 100010) 王继红 苏伟军刘业异 姚汉民 (中国科学院光电技术研究所，成都双流350信箱，610209) 摘要:下一代光刻技术 (NGL)研究和选择己经成为当前半导体制造行业最为引人 关注的热点问题，在这些技术之中，x射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的 一种。目前国际上关于x射线光刻技术的研究己经集中在大规模生产的实用化问 题上，同时，应用于微波毫米波单片集成电路 (MMTC)制造正成为一种新趋势。 尽管与国际水平存在着巨大的差距，但经过多年的积累，国内的x射线光刻技术 研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以0.15微米及以下尺寸技术要求为目 标的一套研究体系，面临着整体水平的技术突破。 关健词:x射线光刻，掩模、SiN,、对准台，MMIC 一、前言 光刻技术一直是集成电路制造业向前发展的技术先导。随着器件特征尺寸向0.1微米逼 近，一直占据主流地位的光学光刻技术开始遇到越来越严峻的挑战。尽管深紫外 (DUV)光 刻仍然在努