直流电流导致GaN基白光LED发光效率衰减的因素研讨.pdfVIP

直流电流导致GaN基白光LED发光效率衰减的因素研讨.pdf

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第六届中国国际半导体照明论坛 6thChina ForumonSo¨dState International Lighting 直流电流导致GaN基白光LED发光效率衰减的因素研究 王力1,一,凌敏捷1‘2,熊旺1‘2,贾维卿1,一,王钢1’2 1中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州市新港西路135号,邮编510275 2中山大学半导体照明系统研究中心,广州市大学城外环东路132号中山大学微纳楼,邮编510006 个饱和值的。很多的研究者都认为这个现象与有源 摘要 区的过热现象有关,对此前人做了大量的工作。 本文探讨7直流电流下.GaN基大功率白光 Bath大学的研究者提出利用脉冲电流源代替直流 L王|D发光效率衰减.发现随着温麦的舞高和电流的 源来驱动LED,并发现脉冲驱动比直流驱动具有更 舞商.都会降低LED的发光效率.并对这一现象 高的量子效率,而且电流密度的饱和点也大大提高 作出7理论分析。 关键词 LED在脉冲和直流驱动下的情况,并将上述的饱和 GaN,白光LED,电流,温度,热管理,发光现象归结为热效应和由于电流引起的非热效应两 效率 LED在直流和脉冲两种情况下的性能表现和稳定 引言 性问题,着重考虑了两种不同的驱动条件下LED的 GaN基白光LED以其高亮度,低能耗,长寿命, 老化机制【81;国内的研究机构也对于功率型白光 结构紧凑,体积小,平面化,重量轻,方向性好, LED的热特性进行了研究,给出了直流和脉冲驱动 响应快,无污染,无辐射等优点,有望成为继白炽 下功率型白光LED的性能表现,但是只讨论了频率 灯、荧光灯和高压气体放电灯后的第四代光源【1】团 这个因素对于LED性能的影响,并没有考虑脉冲的 【nJ。GaN基白光LED是在GaN基蓝光LED芯片表面 占空比以及幅值等参数的影响【9J。Hansen【10】等通过 涂覆YAG:Ce3+荧光粉层,从芯片发出的蓝光在经过 实验证明较佳的载流子可以提高LED的发光效率, 荧光粉层后产生黄光,再通过透明树脂封装后形成 即LED的光输出的衰减不仅受到结温的影响。 的微透镜聚焦,将蓝光和黄光混合形成白光进而出 当注入LED的直流电流增加时,载流子浓度也 射。 随之而增。因此,电流过高引起光输出衰减的因素 若要白光LED进入照明光源市场,达到节能效 除了与结温有关的热效应外,还包含与载流子浓度 果,必须要有很高的光通量和光效。因此提高白光 有关的非热效应。本文主要研究影响LED发光效率 LED的光通量以及是所有半导体照明工作者一直 的几个因素,从电流与温度两个方面进行了研究, 追求的目标。总结起来,可以通过增加芯片尺寸和

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