石墨层间化合物在插层过程中阶的转变模式研究.pdfVIP

石墨层间化合物在插层过程中阶的转变模式 徐仲榆 苏玉长 (湖南大学新型炭材料研究所 长沙 410082) 摘 要:应用insituXRD法研究了石墨层间化合物 (GIC)在插层过程中阶次的转变模式。 结果表明，由于插层体系及插层条件的不同，成核和扩散的情况不同，因此在插层过程中试 样的阶次转变模式也不同， 关键词:GIC 插层 阶的转变模式 前 言 有关阶次转变机制的研究一直是GIC研究中令人感兴趣的问题11-91。根据insituXRD研 究我们发现，不同的无机酸插层时所生成的GIC的阶次特征不同，同一种无机酸在不同条件 下反应生成的GIC的阶次特征也不相同，说明插层反应中同时存在多个反应步骤，阶次特征 与反应的步骤有关。MUM等在用气相法合成GIC时，将插入物在石墨中的插层反应分为6 个步骤:蒸发、输运、吸附、成核、扩散和阶化。在电化学法合成GIC的过程中，可以认为 有4个反应步骤:即插入物在试样表面的吸附和成核，在石墨层间的扩散和阶化。这4个步 骤控制着GIC的阶次特征卯Pq转变模式。 2 实 验 瓦，百先必须了解试样中阶的分布状况，为此在进行insituXRD实 验时，通过改变试样被 X射线照射的区域和面积来测定不同区域内各种阶的含量 (衍射峰的 强度)。 河 彝 图IX射线照射区域示意图 ·图2试样内阶次分布示意图 图1是照射区域示意图，图中大圆为原X射线照射区，小圆 (阴影部分)为缩小后的X 射线照射区。图3是70%的HC)q在HOPG中插层时采用改变试样被X射线照射区域的方 法所测得的衍射图谱，谱线A为某时刻照射整个试样所得到的衍射图谱。继续插层6min后， 让X射线只照射试样的中心区域，得到的谱线如B所示。再继续插层6min，仍让X射线照 射整个试样，得到的谱线如C所示。对比谱线A和C(相隔时差为12min)可知，随着插层 的进行，石墨、3阶GIC与4阶GIC的含量都在减少，2阶GIC在增加。对比谱线A与谱线 B (相隔时差为 6min)，按推理B谱线中的石墨、3阶GIC和4阶GIC的含量也应减少，2 阶GIC也应增加，但实际情况是石墨、3阶GIC和4阶GIC的含量减少了，而2阶GIC也 冲减少了。这是因为在试样中阶分布的情况如图2所示，从外到内，阶次逐渐升高，低阶 ((2 阶)在试样的边缘地区，B谱线的照射区域 (小圆)小于人谱线的照射区域 (大圆)，少去 的正是2阶所在的试样的边缘部分，因此从表面看来，2阶GIC好像反而减少了。这说明在 GIC的形成过程中，插入物首先是在HOPG试样的边缘成核然后再向试样内部逐渐扩散的。 3阶次的转变 ~ 灼 叼 插入物进入碳原子层间时，有两种可能情 门 ﹄ 台 别 长 J 况:一种是进入已有插入物在内的碳原子层 州 口 护 几 ” s ， ‘ ) 一 呼 习 l 0 的 间，使己有的阶进一步完善和长大，即保持试 以 n 0 二 创 ︸ 布 卜 1 别 彭 碑 O O ﹄ 妙 样原有的阶次，只扩大 “阶畴”;另一种