晶体管知识介绍-20171121.ppt

Thank You ! 晶体管知识介绍 目录 一.晶体管的表示方法 二.晶体管的类型 三.晶体管的基本参数特性 四.晶体管的封装形式 五.晶体管的命名规则 一.晶体管的表示方法 1.???? MOS FET（场效应管） Small Signal MOS FET（小信号场效应管） Power MOS FET（功率场效应管） 2.???? Bipolar （晶体管） Small Signal BipolarTransistors （小信号晶体管） MediumPowerBipolarTransistors（中等功率晶体管） Switching transistor（开关晶体管） Low-saturation transistor（低饱和晶体管） 二.晶体管的类型 三.晶体管的基本参数特性 1 引线型： TO-92 TO-220 TO-18 四.晶体管的封装形式 2 贴片型： 四.晶体管的封装形式 1 JEDEC标准 (Joint Electron Device Engineering Council ) 名称构成： 数字 字母 系列号 [后缀] 数字： 器件管脚数-1，对一般晶体管来讲为2； 字母： 均为N； 系列号：100 ~ 9999 ,按开发的先后顺序给予，无特殊意义； 后缀： A = low gain 低增益 B = medium gain 中等增益 C = high gain 高增益 ＊无后缀表示无区分 No suffix = ungrouped (any gain). 五.晶体管的命名规则 2 JIS日本工业标准 名称构成： 数字 两位字母 系列号 [ 后缀] 数字：器件管脚数-1，对一般晶体管来讲为2； 字母：两位字母表示了器件的特性与应用环境； SA: PNP HF transistor SB: PNP AF transistor SC: NPN HF transistor SD: NPN AF transistor SJ: P-channel FET/MOSFET SK: N-channel FET/MOSFET 系列号：10-9999 后缀： 表示已经被日本几个组织批准应用； ＊因为晶体管的后缀基本均为2S，故有时在标名称时将2S忽略。 五.晶体管的命名规则 3 Pro-electron 名称构成： 两位字母 [字母] 系列号 [后缀] 两位字母之第一位表示器件的材质： A = Ge B = Si C = GaAs R = compound materials. 两位字母之第二位表示器件的应用范围： C: transistor, AF, small signal D: transistor, AF, power F: transistor, HF, small signal L: Transistor, HF, power U: Transistor, power, switching [字母]表示此器件只能使用在工业或专业设备上，一般用W X Y Z来表示； 序列号范围为100-9999 ； 后缀的表示方法与JEDEC一致。 五.晶体管的命名规则 4 其他命名方法 有些厂家，也会自定表示方法，如： MJ: Motorolla power, metal case MJE: Motorolla power, plastic case MPS: Motorolla low power, plastic case MRF: Motorolla HF, VHF and microwave transistor RCA: RCA RCS: RCS TIP: Texas Instruments power transistor (plastic case) TIPL: TI planar power transistor TIS: TI small signal transistor (plastic case) ZT: Ferranti ZTX: Ferranti Examples- ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43. 五.晶体管的命名规则 Thank You !