模拟电路 场效应管.pptVIP

在T1 位置上画出合适的FET； 若T1的漏极电位VD= 14V，其gm = 3ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？ 若T2的β = 50，VBE = 0.6 V，求T2的静态值IB、IC、VCE？ 画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。 两级电压放大电路如下图所示。 * * * vGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，vGS越大此电阻越小。 P N N G S D vDS vGS P N N G S D vDS vGS 当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当vDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D vDS vGS 夹断后，即使vDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 iD vDS增加，vGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 iD vGS VT 输出特性曲线 iD v DS 0 iGS0 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 iD vGS VT 输出特性曲线 iD vDS 0 vGS=0 vGS0 vGS0 五、说明： （1）MOS管由四种基本类型； （2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似； （3）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成； 耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负； （4）MOS管的输入阻抗特别高 （5）衡量场效应管的放大能力用跨导 单位：ms 六、MOS管的有关问题 （2）交流参数 低频跨导： 极间电容：栅源电容CGS，栅漏电容CGD，漏源电容CDS （3）极限参数 最大漏极电流IDM，最大耗散功率P0M，漏源击穿电压V(BR)DS栅源击穿电压VBR)GS 1、主要参数（1）直流参数 开启电压VT——指增强型的MOS管 夹断电压VP——指耗尽型的MOS管 零栅压漏极电流IDSS 直流输入电阻： 通常很大1010~1015Ω左右 六、MOS管的有关问题 2、场效应管与三极管的比较 六、MOS管的有关问题 3、使用注意事项 （1）结型场效应管的栅源电压不能接反，但可在开路状态下保存； （2）MOS管在不使用时，须将各个电极短接； （3）焊接时，电烙铁必须有外接地线，最好是断电后再焊接； （4）结型场效应管可用万用表定性检测管子的质量，而MOS管必须用专门的仪器来检测； （5）若用四引线的场效应管，其衬底引线应正确连接； vGS iD 0 vDS:N沟道加正压 P沟道加负压 各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (a)转移特性 IDSS VP IDSS N沟道JFET N沟道增强MOS VT N沟道耗尽MOS P沟道耗尽MOS P沟道增强MOS VT P沟道JFET IDSS VP VP VP 各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (b)输出特性 结型vGS和vDS相反 增强型vGS同vDS同极性 耗尽型vGS任意 ? 极 性 放大区条件 vDS N沟道管：正极性(vDS0) vDSvGS－VP0 P沟道管：负极性(vDS0) vDSVGS－VP0 vGS 结型管： 反极性 增强型MOS管：同极性 耗尽型MOS管：双极型 N沟道管：vGSVP(或VT) P沟道管：vGSVP(或VT) FET放大偏置时vDS与vGS应满足的关系 § 5.4场效应管放大电路 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 场效应管是电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极电流的变化。它的放大作用以跨导来体现，在场效应管的漏极特性的水平部分，漏极电流iD的值主要取决于vGS，而几乎与vDS无关。 1、自偏压电路 2、分压式自偏压电路 Rg：使g与地的直流电位几乎相同（因上无电流）。 R：当IS流过R时产生直流压降ISR，使S对地有一定的电压：VGS=－ISR=－IDR0 5.4.1场效应管的直流偏置电路及静态分析 1. 直流偏置电路 VDD Rd R - Rg + vGS iD - vi C1 + CS C2 - + RL vo VDD=18V R C Rg1 Rd Rg3 Rg2 2M 47k 10M 30k 2k T + + Cb2 Cb1 47u 4.7u 0.01u Q点： VGS 、 ID 、 VDS VGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (R