磁性材料 第5章 磁畴理论 2.pptVIP

5.2 畴壁结构和畴壁能 一. 畴壁及畴壁分类 二. Bloch壁的结构特性和畴壁能 三. Neel壁的结构和畴壁能 布洛赫壁 Neel壁 5.3 磁畴结构 一. 影响磁畴结构主要因素的定性考虑 二. 单轴各向异性晶体的磁畴结构 三. 立方晶体材料中的磁畴结构 六. 单畴颗粒 立方晶系450 封闭畴内磁化强度也与易磁轴平行，磁晶各向异性能和退磁能都为零，形成封闭磁畴结构的能量似乎应该比形成片形磁畴能量更低，但此时必须考虑自发磁化引起的形变产生的磁弹性能的影响。立方晶系封闭畴形式能量的计算：在立方晶系K＞0的情况下，应力方向单位体积的磁弹性能是： 给出平衡值 样品表面单位面积下方柱体的总能量为： 代入立方晶体的数据表明，封闭磁畴结构的能量较低，实验上已经观察到这种磁畴结构的存在。（见前面图） * 铁磁性物质的基本特征是物质内部存在自发磁化与磁畴结构。 1907年Weiss在分子场理论的假设中，最早提出磁畴的假说；而磁畴结构的理论是Landon—Lifshits在1935年考虑了静磁能的相互作用后而首先提出的。 磁畴理论已成为现代磁化理论的主要理论基础。 第五章 磁畴理论 5.1 磁畴的起源 一、磁畴形成的根本原因 铁磁体内有五种相互作用能：FH、Fd、Fex、Fk、 。根据热力学平衡原理，稳定的磁状态，其总自由能必定极小。产生磁畴也就是Ms平衡分布要满足此条件的结果。 若无H与 作用时，Ms应分布在由Fd、Fex、Fk三者所决定的总自由能极小的方向，但由于铁磁体有一定的几何尺寸，Ms的一致均匀分布必将导致表面磁极的出现而产生Hd，从而使总能量增大，不再处于能量极小的状态。因此必须降低Fd。故只有改变其Ms矢量分布方向，从而形成多磁畴。因此Fd最小要求是形成磁畴的根本原因。 分成n个磁畴后，Fd→(1/n)Fd 但是形成磁畴后,将引起Fex与Fk的增加（即畴壁能）。 因此，磁畴数目的多少及尺寸的大小完全取决于Fd与畴壁能的平衡条件。 二、从片状磁畴说明磁畴分成小区域的原因 设想一面积较大的磁体： 情况1：自发磁化后不分畴，全部磁矩向一个方向 L Ms S S S S N N N N 情况2：自发磁化形成简单的片状磁畴 此时，材料表面也出现磁极，内部也有Fd，同时，由于畴壁能的存在，需要考虑二者的共同作用。 L S N S N S N S N S N 为单位面积的畴壁能 （畴壁能量密度） 可见尽管增加了Ew，但Fd↓，总能量↓。 ■只有Fd是形成多畴结构的根本原因 因为铁磁体内磁畴形成的大小与形状及磁畴的分布模型，原则上由Fd、Fex、Fk与 四种能量共同决定，磁畴结构的稳定状态也应是这四种能量决定的极小值状态，但这四种能量中，Fex使磁体内自发磁化至饱和，而自发磁化的方向是由Fk与 共同决定的最易磁化方向。由此可见Fex、Fk与 只是决定了一磁畴内Ms矢量的大小以及磁畴在磁体内的分布取向，而不是形成磁畴的原因，只有Fd才是使有限尺寸的磁体形成多畴结构的最根本原 因。 三、决定磁畴结构的因素 除Fd外 1、磁各向异性 实际铁磁体中磁矩方向不能任意选取。（综合考虑Fex、Fk ） 2、磁致伸缩，即考虑 。 畴壁及畴壁分类 Bloch壁的结构和畴壁能 Neel壁的结构和畴壁能 十字壁 畴壁的动态性质 参考姜书4.7，4.8节 在讨论磁畴结构之前，我们先分析畴壁的性质，因为畴壁的性质往往影响着磁畴的结构。 理论和实验都证明，在两个相邻磁畴之间原子层的自旋取向由于交换作用的缘故，不可能发生突变，而是逐渐的变化，从而形成一个有一定厚度的过渡层，称为畴壁。 按畴壁两边磁化矢量的夹角来分类，可以把畴壁分成180?壁和90?壁两种类型。在具有单轴各向异性的理想晶体中，只有180?壁。在 K1＞0 的理想立方晶体中有180?壁和90?壁两种类型。在 K1＜0 的理想立方晶体中除去180?壁外，还可能有109?和71?壁，实际晶体中，由于不均匀性，情况要复杂得多，但理论上仍常以180?和90?壁为例进行讨论。 立方晶系，易磁向〈100〉 180?壁 和90?壁 180?畴壁 畴 90?壁 立方晶系,易磁向〈111〉，有180?壁 ，71?壁和109?壁 71° 109° 畴壁的概念最早是Bloch提出的，Neel 分析了它的结构：在大