第2章 逻辑门电路yn.ppt

⑴CMOS反相器 工作原理： vI输入低电平时： vI=VILVT1，T1管截止。 VG2较低，使|VGS||VT2|，因此T2充分导通。 反相器输出高电平 VOH≈VDD。 ⑴CMOS反相器 工作原理： vI=VIHVT1，T1管导通。 VG2较高，使|VGS||VT2|，因此T2管截止。 反相器输出低电平且很低，VOL≈0V。 特点（1） ⒈CMOS反相器的静态功耗非常小(TTL静态功耗单位mW)。 ①静态：总是一管导通和一管截止，漏电流很小(nA)，静态功耗非常小(μW)。 ②动态：转换时电流大(若工作频率高，功耗mW左右） 特点（2） ⒉CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小，电路的工作速度大为提高。 原因：由于CMOS反相器的工作管和负载管不同时导通，因此其输出电压不取决于两管的导通电阻之比。这样，通常可使PMOS负载管和NMOS工作管的导通电阻都较小。所以，CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小，电路的工作速度大为提高。 ⑵CMOS与非门 工作原理： 图2-33所示电路为两个输入端的CMOS与非门。 当输入A、B都为高电平时，串联的NMOS管 T1、T2管都导通，并联的PMOS管T3、T4都截止，因此输出为低电平； 工作管 负载管 ⑵CMOS与非门 工作原理： 图2-33所示电路为两个输入端的CMOS与非门。 当输入A、B中有一个为低电平时，两个串联的NMOS管中必有一个截止，于是电路输出为高电平。 ⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 当输入A、B至少有一个高电平时，并联的NMOS管T1和T2中至少有一个导通，串联的PMOS管T3、T4至少有一个截止，因此输出为低电平； ⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 当输入A、B都为低电平时，并联NMOS管T1和T2都截止，串联PMOS管T3和T4都导通，于是电路输出为高电平。 电路的输入和输出之间是或非逻辑关系。 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 输出端 控制端 输入端 当控制端E为高电平时，NMOS管T1和PMOS管T4均截止，电路输出端F呈现高阻态； ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 当控制端E为低电平时，T1和T4管同时导通，T2和T3管构成的CMOS 反相器正常工作。 ⑸CMOS传输门 CMOS传输门是逻辑电路的一种基本单元电路，其功能是一种传输信号可控开关电路。 CMOS传输门电路如图2-36所示。 它是利用结构上完全对称的NMOS管和PMOS管，按闭环互补形式连接而成的一种双向传输开关。 因为MOS管的漏极和源极在结构上完全对称，可以互换，所以传输门的输入端和输出端也可以互换。 传输门的导通电阻很低，约几百欧姆，相当于开关接通，其截止电阻很高，可大于109欧姆，相当于开关断开。接近于理想开关。 工作条件:设TN和TP的|VT|=3V，vI=0V～10V。 ( C=10V， =0V或 C=0V， =10V)。 ⑸CMOS传输门 工作原理： 若C=0V， =10V时，TN和TP同时截止，故传输门截止，则输入和输出之间呈现高阻态，相当于开关断开； ⑸CMOS传输门 工作原理： 若C=10V， =0V且vI在0～7V之间变化时，TN管导通； 而vI在3～10V之间变化时，TP管导通； 故vI在3～7V之间变化时，TN、TP管均导通。 输入和输出之间呈现低阻状态，相当于开关接通。 ⑸CMOS传输门 结论：CMOS传输门的导通和截止取决于控制端所加的电平。 C=1， =0时，传输门导通； C=0， =1时，传输门截止。 模拟开关 利用CMOS传输门和非门可构成模拟开关，如图2-37所示。 当C=1时，模拟开关导通， vO=vI (或vI=vO)； 当C=0时，模拟开关截止，输入和输出之间断开。 例： 试分析图2-38所示电路的逻辑功能。 解：A=1，开关接通。导通电阻近似为1kΩ A=0时，开关断开，呈高阻态，截止电阻为109。 故电路实现了非逻辑功能。 TTL逻辑门多余输入端的处理 一般多余端不允许悬空。 对于与、与非、与或非中的与，根据A与1为A，A与A为A，可以将多余输入端通过电阻接电源，或与有用输入端并接。 对于或、或非、与或非中的或，根据A或0为A，A或A为A，可以将多余输入端接地，或与有用输入端并接。 2.5 TTL电路与CMOS电路的接口 在数字电路中，常有不同类型的集成电路混合使用的情况，由于输入、输出电平，负载能力等参数不同，不同类型的集成电路相互连接时，需要合适的接口电路。 2.5.1 TTL电路驱动CMOS电路 如果CMOS电路的电源电压为+5V，那么TTL与CMOS之间的电平