有源滤波器中IGBT关键技术问题的实验研讨.pdfVIP

中国电机工程学会第十届青年学术会议 ·吉林 有源滤波器中 IGBT 关键技术问题的实验研究 赵珣 黄加祺 徐宏雷 (东北电力大学 吉林 吉林 132012) 摘要： 本文主要分析了并联型单相APF研制过程中关断浪涌电压、续流二极管恢复浪涌电压和IGBT 开通过电压产生的 原因,他们对IGBT性能的影响以及解决的方法,然后分析了IGBT驱动电路的设计要点，对驱动电路的电隔离，栅极驱动电压 和过电流保护做了较细致的阐述，并进行了实验研究，完成了具有工程应用价值的解决方案。 关键词： IGBT；有源滤波器；驱动电路 1 引言 近年来，绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）功率器件在电机控制、开关电源和变流设备等领域的应用已经 非常广泛。IGBT己取代GTR或MOSFET成为应用的主流。它由双极型电力晶体管和MOSFET 的复合而成的器件， 综合了以上两种器件的优点，具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路简单、通态电压低、耐压 高和承受电流大等特点。但是由于它工作在高电压、大电流的条件下，使用不当, 容易使IGBT损坏。因此， 合理使用IGBT显得尤为重要。 2 APF 装置基本情况 所研制的并联型单相APF适用于220V交流电网，主电路采用4脉冲IGBT 电压逆变器，容量为30kVA，调 制频率10kHz，能消除安装处线电流中21次及以下谐波。一般APF 交流侧是通过耦合变压器与系统相连， 但是由于APF 向系统发出的补偿电流中包含各次谐波, 同时要经过很大的电流，因而对耦合变压器的要求 非常高。为了避免耦合变压器的性能对补偿效果的影响， 采用通过联接阻抗直接与系统相连的方式，如 图1 所示。IGBT选用SKM100GB128D，V 为1200V，I 为145A，直流侧储能装置选用2个450VDC ，10000µf ces c 电容串联，交流侧滤波电感为2mH 。 L N VT1 VT3 VD1 VD3 L VT2 VT4 VD2 VD4 图1 并联型单相APF主电路 3 IGBT 关断时浪涌冲击电压的产生 在单相桥式逆变电路 PWM 调制控制中，IGBT 模块由于开关速度快，开关频率高，动态损耗较大，关断 过程中功率管上有时会出现危险的过电压，造成功率管的损坏。产生过电压主要有两个原因：关断浪涌电 压和续流二极管恢复浪涌电压。 关断浪涌电压是在关断瞬间因流过 IGBT 的电流被切断而产生的瞬态高压；而当续流二极管恢复反向 阻断能力时会产生与关断浪涌电压相似的浪涌电压。如图 2 所示电路中，当上桥臂的 IGBT 模块 VT1 开通 时，流过感性负载的电流 IL 不断增加。当该 VT1 关断时，感性负载中的电流不可能发生突变，它必然通 过下桥臂 IGBT 模块的续流二极管 VD2流通。 如果电路是理想的，即不存在寄生的杂散电感， VT1 关断时 其上的电压 VCE1 只会上升到比母线电压 Ud 高出一个二极管的压降值，随后 VD2 导通防止电压进一步增加。 - 1 - 中国电机工程学会第十届青年学术会议 ·吉林