半导体测试与分析1PPT.ppt

半导体材料的测试分析 前言 半导体材料中杂质和缺陷的重要性 随着半导体技术和科学的发展，对杂质和缺陷的检测方法在准确性和精度方面要求越来越高 检测内容也发生了变化。 从材料缺陷宏观观察和电学性质的宏观测量转移到对表面、界面及薄膜的组分、结构和特征参数的细微研究。 从对杂质和缺陷宏观效果评价发展到对他们电子结构及相互作用的探索 人类在自然科学和工程技术方面的长足进步，也为半导体材料的检测和分析提供了多种物理、化学方法 电阻率与杂质浓度测试 电阻率是半导体材料最重要的电特性之一 电阻率值的大小是设计器件参数以及器件制造过程中选择材料、控制工艺条件的重要依据 半导体生产过程中的电阻率测量是十分频繁的，也是非常关键的。准确易行的电阻率测量方法对于保证器件质量以及新材料、新器件、新工艺的开发都是十分必要的。 半导体电阻率的测量与导体的电阻率测量是有区别的 1、在金属与半导体接触的界面附近也要产生一个耗尽层。因为金属的电子密度极高，因而这个耗尽层展宽在半导体一边。耗尽层中只有不能自由运动的电离杂质，它们不能参与导电，因而这是一个高阻层。同时，任何两种材料的小面积接触都会在接触处产生扩展电阻。尤其是对金属—半导体点接触，这个扩展电阻会很大，人们常常把这两个因接触而产生的高电阻统称为接触电阻。因此，当用欧姆表来测量半导体时，这个巨大的接触电阻就会使结果面目全非，毫不可信。 2、功函数不同的两种金属制品在接触时也要因接触电势差而在界面上出现一个电荷偶层，但这个空间电荷层极薄，每边只有约一个原于层厚，远小于电子的扩散长度，因而对载流子没有阻挡作用。同时，金属与金属的小面积接触的扩展电阻也很小。因此，上述方法对测量金属导体的电阻率是精确的。 电位探针法 电位探针法原理 就是用两根探针测量该物体两点或两等位面间的电位差，然后根据一定的理论公式换算出该物体的电阻率。 导致该物体内有电位分布的电流，是由另外的探针或其他形式的电极注入的。 用欧姆表直接测量半导体电阻率的失败，根本原因在于测试电流的输入和该电流在被测样品上产生的压降的测量共用一对探针。如果我们使二者分开，用一对探针专门测量被测样品某两个等位面或某两点之间的电位差，不让测试电流通过这两根探针，上述困难是完全可以克服的。这就是利用电位探针法测量半导体电阻率的基本出发点。 二探针法 用两根探针借助于电位差计量取样品表面某两点(实际上是某两个等位面)间的电位差U，并量出流经样品的电流值I，即可算出该两个等位面间的长方体的电阻值R。精确量出探针间距L及样品截面积S， 则样品的电阻率为 两个改进措施 补偿法来测量电压，以避免探针与半导体之间高阻接触对测量结果的影响 两个端电极与被测半导体之间为欧姆接触，因而避免了少数载流子的注入 二探针法的优点和缺点 优点：不受样品尺寸大小的影响和电流源少子注入的影响等 缺点：对样品的形状和电阻率的均匀性要求严格，而且还需要大面积的欧姆接触电极，在实际应用中颇不方便 四探针法 用四探针法测量半导体电阻率的基本实验装置如图。 四根金属探针相互保持一定距离，同被测半导体的某一平坦表面接触。恒流源通过两外侧探针向半导体样品输入稳定电流I，在样品中产生一稳定电流场，然后借助于两根内探针测量该电流场中某两点间的电位差U。电流场理论对各种样品形状提供了I、U与样品材料电阻率ρ之间的函数关系。 第一类情形：半无限大样品 如果电流源位于某一个界面上但距其余各界面足够远，则可视其为半无限大 探针的布置方法 材料电阻率的表达式 不等距四边形 触点在同一直线不等距 触点等距直线排列 正方形探针排列 第二类情形：“无限大”薄层样品 对于等距直线布置触点，薄层电阻率可表示为 用四探针法测小样品电阻率时的修正 两种无穷大边界是不存在的。任何半导体样品都只有有限大小的尺寸。 适当大的样品可以视为符合这两种解的要求。那么，这两个解究竞对多大的样品尺寸才适合，尺寸不合适的样品该怎样修正 修正的理论依据 电场问题的单值定理指出，满足边界条件的解必有且只有一个。 对于某个特定的边界，如果有一个解能满足它所要求的条件，那么这个解就是唯一正确的，就能真实地反映该边界内的电场分布。 从原则上说，只要边界条件确定，就可以通过求解拉普拉斯方程或泊松方程确定其解 但实际情况往往比较复杂，难以对方程进行精确的求解。 工程上往往采用一种 “镜象法”的方法，使问题简化。 其解又总可以表示为第1类情形的解或第2类情形的解与一个因子的乘积， 可以把任何小样品当作情形1或情形2进行测量，但须在其测试结果上乘或除以一个修正因子，这个因子与探针间距、探针放置方式以及样品的形状与大小有关。 （1）对第一类情形的修正 第一修正因子——对靠近边缘测量的修正 Po表示忽略有接近探针的边