深亚微米器件长总剂量辐照效应影-物理学报.PDFVIP

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2018-08-18 发布于天津
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深亚微米器件长总剂量辐照效应影-物理学报.PDF

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深亚微米器件长总剂量辐照效应影-物理学报

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 5 (2012) 050702 1)2)† 1)2) 1) 1) 1)2) 1) 1)2) 1) 1) ( , , 200050 ) 2) ( , 100039 ) ( 2011 3 12 ; 2011 7 4 ) 180 nm . , . , . , , . , . : , , , PACS: 07.80.+b, 24.50.+g 1 . , , , . (CMOS) . , (Vth ) [1−3] . 1/f . [4,5] . (shallow trench isolation, STI) , . [3], STI . (N , NMOS) , STI , / , , [6,7] . 1 . , NMOS 1 (a) NMOS ; (b) (a) A—A ; . STI , NMOS , . , 180 nm CMOS 2 NMOS , . , 180 nm CMOS NMOS . , , STI . STI E-mail: zhiyuan.hu@ c 2012 Chinese Physical Society 050702-1 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 5 (2012) 050702 (high density plasma, HDP) , . . 390 nm. 500 krad(Si) , 10−7 A, NMOS , W/L (/) 10 µm/10 µm, 10−12 A 5 . 10 µm/0.5 µm 10 µm/0.18 µm; , , 3 nm. N , P . , 1.8 V. . 60Coγ . , , 1.8 V ( ). 205 rad(Si)/s, 500 krad(Si). , HP4140B I-V . (IDS-VGS, VDS = 0.05 V) VGS