硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛-厦门大学学报自然科学版.PDFVIP

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2018-08-18 发布于天津
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硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛-厦门大学学报自然科学版

第卷第期（）５０６厦门大学学报自然科学版Ｖｏｌ．５０Ｎｏ．６　　年月（）２０１１１１Ｎｏｖ．２０１１　ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ　　　　　ｙ硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛＊，，，李阳娟黄凯赖虹凯李成　　（，）厦门大学物理与机电工程学院福建厦门３６１００５摘要：，采用阳极氧化铝模板的方法在硅衬底上制备出分布均匀的硅纳米图形研究了在硅纳米图形衬底上自组装生长，，，锗纳米岛的演化发现在下硅纳米图形对自组装生长锗岛起到诱导作用获得尺寸和分布均匀的纳米岛岛．５００ ℃ Ｇｅ１０－２　，，的尺寸为密度达到当温度较低和较高时硅纳米图形的诱导作用变得不明显最后探讨了纳米图３５ｎｍ５×１０ｃｍ．．形诱导锗纳米岛生长可能的机理．关键词：；；阳极氧化铝模板硅纳米图形衬底锗纳米岛中图分类号：文献标志码：文章编号：（）Ｏ４８４．１Ａ０４３８０４７９２０１１０６０９７５０５　　　　　　　　　　－－－，在硅衬底上自组装生长的锗纳米岛不仅与硅微电的锗原子的扩散长度与图形的周期相近时锗原子成　　［］７，