模电课件 4场效应管.ppt

综上分析，可得出以下结论： 1、JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，因此栅极电流为零。 2、JFET是电压控制电流器件， iD受vGS的控制 3、预夹断前，iD随vDS增加而几乎呈线性地增加，预夹断后， iD趋于饱和。 4.4 N沟道耗尽型MOSFET 1). 耗尽型MOS管结构示意图 s g d N+ N+ SiO2 Al b 耗尽层 （导电沟道） 反型层 P 耗尽型MOS管在vGS=0时，漏源极间已有导电沟道产生，通过施加负的栅源电压（夹断电压）使沟道消失，耗尽型NMOS截止； 增强型MOS管在vGS≥VT时才出现导电沟道。 耗尽型MOS管 1). 耗尽型MOS管结构示意图 s g d N+ N+ SiO2 Al b 耗尽层 （导电沟道） 反型层 P N沟道耗尽型MOS管表示符号 P沟道耗尽型MOS管表示符号 G S D G S D N沟道耗尽型MOSFET——结构符号 耗尽型MOS管 2). 耗尽型MOS管原理 s g d N+ N+ SiO2 Al b 耗尽层 （导电沟道） 反型层 P 造成的原因是： 制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的正离子 (制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，在这些正离子产生的电场作用下，漏源极间的P型衬底表面已感应生成N沟道。 只要加上正向电压vDS，就有电流iD。 N沟道耗尽型MOSFET——工作原理 N沟道耗尽型MOS管 当vGS为负时，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止； 使沟道消失时的栅源电压称为夹断电压，仍用VP表示。 2). 耗尽型MOS管原理 s g d N+ N+ SiO2 Al b 耗尽层 （导电沟道） 反型层 P N沟道耗尽型MOSFET——工作原理 当vGS为负时，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止； 使沟道消失时的栅源电压称为夹断电压，仍用VP表示。 耗尽型MOSFET在vGS=0，vGS0，VPvGS0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。 N沟道耗尽型MOSFET——工作原理、特点 * 第4章 场效应管放大电路 本章主要内容： 本章介绍场效应管的结构、工作原理，以及场效应管 放大电路的构成、场效应管三种组态放大电路的基本方法 和特性。 4.1单极型晶体管概述 4.2结型场效应管（JFET） 4.3绝缘栅场效应管（JFET） 4.4N沟道耗尽型MOS管 4.5各种场效应管特性比较及其注意事项 4.6场效应管放大器及其静态分析 4.7场效应管的微变等效电路分析法 4.1单极型晶体管概述 三极管(BJT) 电流控制器件（基极电流） 输入阻抗不高 双极型器件（两种载流子：多子少子均参与导电） 噪声高 场效应管(Field Effect Transistor) 电压控制器件（栅、源极间电压） 输入阻抗极高 单极型器件（一种载流子：多子参与导电） 噪声小 缺点是速度慢（∵有寄生电容效应） 场效应管（和三极管相比）：优点多、应用广泛 4.2结型场效应管（JFET） FET分类 结型场效应管JFET （按导电沟道类型） P沟道 N沟道? 绝缘栅型场效应管MOSFET 耗尽型 (按导电沟道形成机理) 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道? 按基本结构 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质 浓度的P+区，就形成两个不对称的PN结，即耗尽层。 把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅 极（gate），在N型半导体的两端各引出一个电极， 分别称为源极s（source） 和漏极d（drain）。 N沟道结型场效应管 d P+ P+ N g s 耗尽层 三个区域：一个N区，两个P+区 三个电极：源极s，漏极d，栅极g 一个导电沟道：N型 电路符号 d g s 箭头方向：栅结正偏时栅极电流的方向 （P沟道？） JFET结构（P沟道） P沟道结型场效应管 d N+ N+ P g s 耗尽层 三个区域：一个P区，两个N+区 三个电极：源极s，漏极d，栅极g 一个导电沟道：P型 电路符号 箭头方向： d g s 工作原理（1、2） d P+ P+ N g s 外部工作条件 vGS为负值 vDS为正值 vGS对iD的控制作用 为便于讨论，先假设漏－源极间所加的电压vDS=0 (a) 当vGS=0时，沟道较宽，其 电阻较小。 (b) 当vGS＜0时，PN结反偏，沟道变窄，其电阻增大。 (c) 当vGS进一步减小到一定程度（ vGS ≤VP），沟道消失，失去导电能力。全夹断 工作原理（3） vD