氢化非晶硅薄膜的磁控溅射制备及性能研讨.pdfVIP

V01．37 第37卷增刊 光子学报 Sup．1 2008年l1月 ACTAPHOTONICASTNTCA November2008 氢化非晶硅薄膜的磁控溅射制备及性能研究木 潘震，赵青南，刘本锋，赵修建 (武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，武汉430070) 薄膜分析仪、傅里叶变换红外光谱仪(FT瓜)、紫外．可见光透射光谱仪(UV-VIS)测试了薄膜的物 相结构、膜厚、硅氢键和透过率，研究了溅射功率、基片温度和氢气分压对薄膜结构和性能的影响． 结果表明，直流磁控溅射沉积薄膜工艺能够迅速地沉积氢化非晶态硅薄膜；氢气的引入能够使氢顺 利进入生长的膜层。并且生成单氢键合和多氢键合；a-Si：H薄膜有良好的可见光透过率． 关键词：直流磁控溅射；a-Si：H薄膜；沉积速率；氢气分压；透过率 中图分类号：TN304．055 文献标识码：A 1 实验 0引言 1．1实验准备 非晶硅薄膜是一种常用的红外波段光学薄膜材 实验采用国产JGC-40SY型500W磁控溅射镀 料，具有红外吸收系数小、折射率高(约在3．0—4．0 D．cm 膜机，溅射靶材是纯度99．999％、电导率O．02 之间)、热特性好等优点【1)，尤其在Spear等[21人用辉 的单晶P型硅靶材．基片使用经超声清洗的载玻 光放电方法制备出掺杂硼或磷的氢化非晶硅 片，清洗液依次使用去离子水、丙酮和无水乙醇．靶 (a-Si：H)薄膜后，它可以应用于太阳能电池．为此， 材表面与基片表面的垂直距离为8锄，溅射使用直 人们进行了大量研究，等离子体增强化学气相沉积 流电源，溅射气体使用纯度为99．9％的氩气． 法(PECVD)也就应运而生．它是目前最常规，运 用最广泛的氢化非晶硅薄膜制备方法【31．此方法制 1．2薄膜沉积 备的氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜具有带隙态密度低的 j x10 溅射前本底真空为1．5 Pa．在每一次开 优点，适于制作太阳能电池和其它电子器件．但该 始溅射镀膜前，先在纯Ar气的气氛下清洗靶材 方法缺点也十分明显。它使用的设备和气体成本十 2min．溅射条件如下：保持一定的基片温度、氩气 分高昂，而且使用的是有毒易爆的气体(SiH4，BH3， 分压、氢气分压和溅射时间，溅射功率由100W变 PH5)[41，因此，从生产成本和生产安全方面考虑， 化至300W制备一组试样；然后，保持一定基片温 都需要一种新的方法来替代它．磁控溅射具有工艺 度、氩气分压、溅射功率、溅射时间，变化氢气分 简单、沉积温度低、方向性强、薄膜附着性好和致 压，制备另一组试样． 密性高等优