氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆的制备研究.pdfVIP

第28卷 第 1期 新 型 炭 材 料 Vo1．28 No．1 2013年 2月 NEW CARBON M ATER1AI，S Feb．2Ol3 文章编号： 1007—8827(2013)01-0008-06 氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米 电缆的制备 张艳丽 ， 侯鹏翔， 刘 畅 (中国科学院金属研究所 沈阳材料科学国家(联合)实验室，辽宁沈阳 110016) 摘 要：采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十 微米 ，直径约为 10～30nn／。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅，每根电缆的芯部包含 1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳 纳米管具有较高的结晶度，其直径主要集中在2．2nnl和 1．8nli1。基于实验研究结果，提出了一种纳米电缆的生长机制。所 制备的无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆可望用于场效应晶体管等纳电子器件的构建。 关键词： 同轴纳米电缆；单壁碳纳米管；氧化硅；电弧放电 基金项 目：国家重大科学研究计划项目(2011CB932601)；国家自然科学基金项 目51102242． 通讯作者：刘 畅，研究员．E—mail：cliu@imr．ac．cn 作者介绍：张艳丽，博士研究生，主要从事碳纳米管的电弧法制备研究．E—mall：ylzhang@imr．ac．cn Synthesisofcoaxialnanocablesofsingle—walledcarbonnanotubes sheathedwith amorphoussilicon oxide ZHANG Yan—li， HOU Peng—xiang， LIU Chang (ShenyangNationalLaboratoryforMaterialsScience，lnstit~eofMetalResearch， ChineseAcademyofSciences，72Wenhna Road，Shenyang 110016，China) Abstract： Coaxialnanocablesofsingle—walledcarbonnanotubes(SWCNTs)sheathedwithamorphoussiliconoxideweredirectly synthesizedbyahydrogenracdischragemehtod．As—prepraednanocablesraeusuallytensofmicronsinlengthandabout10—30nnlin diameter．Thesheathofthenanocablesisma orphoussiliconoxide．whilehtecoreishighqualitySWCNTs．Eachcylinder—shaped nanocablecontainedonetoseveral SWCNTs．Thegrowht mechanism ofthenanocablesisproposed．TheseSWCNT／ma orphoussili— conoxidennaocablesmayhavepotentiala口plicationsinfieldeffecttrnasistorsnadotherrelatednanodevices． Keywords： Coaxialnanocable：Single—walledcrabonnanotube；Siliconoxide；Arcdischragemehtod CLC number： x705 Docmu entcode： A Receiveddate：2012-08—13：Revveddate：2013-01_08 Foundatwnitem：StateKeyProgrma f