氧分压对电子束蒸发ITO薄膜光电性能的影响研究.pdfVIP

氧分压对电子束蒸发ITO 薄膜光电性能的影响† 1,2† 2 2 1† 2 李林娜 薛俊明 赵 颖 李养贤 耿新华 （1 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130 ； 2 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 天津市重点实验室； 光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学，天津 300071 ） 摘 要：本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜 光电性能及结构的影响。并在衬底温度为 160℃，氧分压为5×10-2Pa 的条件下，制得可见光范围平均透过率良好， 电阻率为6.3×10-4O•cm 的ITO 透明导电薄膜。 关键词：ITO 薄膜；氧分压；透过率 1 引 言 ITO 膜( 即掺杂SnO 的In 0 膜) 在可见光范围内具有很高的透射率、对红外线的反射率和对紫 2 2 3 外线的吸收率，并具有优良的导电性，在太阳能电池、无机和有机薄膜电致发光器件、液晶显示器、 激光器二极管及紫外光探测器等光电器件领域有广泛的应用。 ITO 膜既可作为透明nip 型硅基薄膜太阳电池前电极，又具有减反射膜的双重作用，其厚度、导 电性和透射性直接影响电池的光电转化效率；ITO 膜还可与金属Ag 或Al 背电极结合作为pin 型硅 基薄膜太阳电池的复合背反射电极起到增反膜的作用。考虑到ITO 膜器件的制备是在电池制备后沉 积，要尽量避免高温工艺和对衬底的损伤，故本研究采用无离子轰击的电子束反应蒸发法，在低温 下制备性能良好的ITO 膜。 2 实验方法 本实验采用 ZZSX-700D 蒸发设备，在普通浮法玻璃衬底上用电子束反应蒸发的方法制备 ITO 薄膜。玻璃衬底首先在专用清洗剂中浸泡2 小时并对其进行清洗，再用去离子水冲洗，最后用高纯 -3 氮气将衬底吹干。实验中衬底温度控制在 160℃，本底真空为 1×10 Pa, 以高纯氧作为反应气体，蒸 发过程中用D07-7A/ZM 型流量计控制氧流量。以纯度为99.99%质量分数比为95 ：5 的铟锡氧化物 陶瓷靶为蒸发源，镀膜时高压电源维持在6.3kV, 调节电子束束流大小，以保持实验中沉积速率恒定。 实验过程中用MDC-360C 膜厚监控仪精确控制薄膜的生长速率和厚度。 在固体的熔融温度以下，固体材料的原子通过强化学键连接形成晶格。电子束反应蒸发过程， 是高密度的电子束射向固体材料，高能电子束和原子相互撞击，把能量传递给原子。因为原子在晶 † 本文得到天津市科技发展计划项目( No. 06YFGZGX02100 )，天津市自然科学基金项目( No. 043604911 )，国家“973 ” 重点基础研究项目 (No.G2000028202, G2000028203) 的支持，在此表示感谢。 † 作者简介：李林娜，女，河北工业大学，材料科学与工程学院，在读硕士研究生 Email: lilinnayouxiang@163.com 通讯地址：天津市南开区卫津路94号 南开大学光电子所 300071 电话:022传真:022 † 通讯作者Email: yxli@ 50 格中处于束缚状态无法逃逸，所以只能加剧振动。传递过来的能量转化为原子的热振动，从而使材 料的温度增加。如果电子继续轰击固体材料，原子就会获得更多的能量，造成晶格的化学键断裂， 从而使固体熔化或气化。物质的温度继续上升，能量足够到能够使原子从蒸发源材料上面蒸发或升 [1] 华 。 制成的薄膜用GTP-S 型椭偏仪测量折射率和厚度，膜的透过率用分光光度计进行测量，电阻率 用Accent HL5500 型霍尔测试系统进行测量。用DMAX2500/PCX 射线衍射仪进行XRD 测试。 3 结果与分析讨论 3.1 氧分压对薄膜可见光范围透过率的影响 图1 是不同氧分压下制备薄膜的透过率特征曲线。由于铟和锡的低价氧化物In O 和SnO 均呈黑