电子系统设计概论复习题纲.doc

2012电子系统设计概论复习题纲 1.功率半导体器件二极管、GTR、IGBT、MOSFET的主要技术指标及其技术特点。 a、二极管（单向导电性）电压型 正向偏置：二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通 二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几没有电流流过 (1)?静态特性 截止区：Ib=0 放大区：ic与ib之间线性关系，饱和区： ic基本不变 失控区：当VCE超过一定值，ic会急剧上升，导致雪崩击穿，并产生二次击穿现象。功率晶体管的主要特点是功率耗散大，因此在设计器件时通常采取如下措施：提高器件的击穿电压、增加有源区面积、减小管芯本体厚度、改善管芯与载体的热传导性能、提高底盘的功率容量等。 c.IGBT（绝缘栅门极双极型晶体管） (1)?静态特性 当UGE小于开启电压UGE（th）时，IGBT处于关断状态。开启电压UGE（th） 是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。UGE（th）随温度升高而略有下 降。在+25℃时，UGE（th）的值一般为2-6V。 Ic受UGE控制，UGE越高，Ic越大。Ic与UGE大部分呈线性关系。与GTR的输出特性相似，IGBT有饱和区、有源区、截止区和失控区之分。 （2）动态特性 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行。IGBT的关断时间toff=关断延迟时间td（off）+下降时间。IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。当门极加正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通当门极加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即被关断 这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。输入阻抗高，速度快，热稳定性好。通态电压低，耐压高，电流大。它的电流密度比MOSFET大，芯片面积只有MOSFET的40%。但速度比MOSFET略低。 d.MOSFET(功率场效应晶体管) 电流型 (1)?静态特性 工作在截止区和工作区两个状态，驱动功率小，开关速度快，导通时呈阻性。(2)动态特性 漏源电压BVDS随温度而变化，提高Idmax(最大漏极电流)主要靠增加单位管芯面积的沟道宽度。漏极短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为阈值电压。其开关速度比一般场效应器件和双极型功率器件要高的多。功率MOSFET大多采用竖直沟道双扩散型结构，在N+衬底上的N-型外延层中，用双扩散技术，先形成P沟道*区，再形成N型源区。2．导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电。（如N型MOS，多子是电子） 功率半导体器件在功率驱动电路中所处的工作状态。 三极管、MOS管等功率半导体器件在性能良好的功率驱动电路中处于开关状态，即饱和或截止状态。 在控制电路及功率器件间加一级驱动电路的目的及作用。 因为两者之间不能直接连接，加一级驱动电路起到电平转移作用，可以提高开关速度，降低损耗。 了解传统线性三端稳压器（78、79系列）、LDO各自压差大小。 三端稳压器（78、79系列）压差：2-3V。78系列三端稳压器要求输入与输出间压差在3V以上否则输出电压不能稳定。78系列为正极性稳压器与之对应的有负极性稳压器79系列 LDO(电磁供电)压差：几十毫伏~1V以下，普通的为0.3、0.5V左右 线性稳压电源和开关稳压电源各自优缺点，稳压电源的主要技术指标及其物理意义。 线性稳压电源的最大优点是纹波小、噪声小、可靠性高，价格低，缺点是效率低、功耗大、重量重、动态响应（包括负载响应和源响应）慢，过载能力差。开关稳压电源优点体积小，重量轻，效率高、功耗低，最大缺点是纹波大，噪声大。 主要技术指标：工作电压范围，输出电压纹波，响应的快慢，输入输出电源类型，最大输出电流，效率η，额定输出电压，输出电压容差，负载效应，源效应，输入功率因数PF，输入电流谐波THD。 掌握继电器或LED数码管驱动电路的设计计算。 目前常用发光管的最大驱动电流为20MA，故可取每段发光管最大驱动电流为IF=2.5mA。VL=1.2v 2.继电器驱动A、用分立元件 可取继电器工作电流50mA, 三极管放大倍数为100 则: 掌握并能设计简单的BUCK、BOOST DC/DC开关电源，掌握开关电源所用主要IC器件及其作用。 直流降压斩波电路（BUCK）：Vout=D╳Vin=Vin╳Ton/T(用于降压) 直流升压斩波电路（BOOST）：Vout=Vin╳ T / Toff（用于升压） 升降压极性反转电路（CUK电路）：Vo= —E╳ Ton/Toff（用于升压、降压） 多功能DC/DC集成电路 AC/DC开关电源常用电路结构 U0＝(N2/N1)* (ton /toff)* Ui。当负载为零时（即开