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2003年十一省(市)光学学术会议论文集 制备InSb纳米颗粒 孙全吕志辉何焰兰 国防科学技术大学理学院，长沙。410073 摘要用真空镀膜的方法制各了镶嵌在SiO：基片上的纳米lnSb颗粒。用原子力显微镜扫描样品表面显示，纳米 lnSb颗粒均匀地镶嵌在Si02基片表面。分析扫描图可以得出：通过改变镀膜时间，可以得到具有不同颗粒尺寸的 lnSb纳米颗粒。 关键词纳米InSb颗粒，真空镀膜，原子力显微镜 随着大规模集成的微电子和光电子技术的发展，功能元器件越来越微细，人们有必要考察物质的维 度下降会带来什么新的现象，这些新的现象能提供哪些新的应用。八十年代起，低维材料已成为倍受人 们重视的研究领域。低维材料一般分为以下三种：(1)二维材料，包括薄膜、量子阱和超晶格等，在某 一维度上的尺寸为纳米量级；(2)一维材料，或称量子线，线的粗细为纳米量级；(3)零维材料，或称 量子点，是尺寸为纳米量级的超细微粒，又称纳米微粒。随着维数的减小，半导体材料的电子能态发生 变化，表现出了许多奇异的基本特性，如量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应等，使其在光、电、声、 磁等方面性能与常规体材料相比有着显著不同。 由于量子限域的程度取决于半导体颗粒的尺寸与其自由激子的波尔半径之比，如果颗粒尺寸远小于 波尔半径，将会有强的量子限域效应：反之，量子限域效应则不明显。 对于III．V族半导体，由于它们具有较小的载流子有效质量和较大的介电常数，因而具有较大的自 由激子波尔半径。如lnSb半导体，自由激子波尔半径为34nm。而III．V族半导体的能隙是在半导体材料 。 ’ ” ’ 。 砌2 的自由激子波尔半径。根据半导体的自由激予波尔半径公式(a。=—*，其中占为半导体材料的 ’ 。 4万‘∥二 介电常数，h为为普朗克常数)计算得到lnSb的激子波尔半径为130nm，这就是说，lnSb颗粒可以在 很大的尺寸范围内满足量子限域条件，这对于制备合适的样品也是极为有利的。 常规合成纳米颗粒的方法主要分为物理方法、化学方法和机械方法，这些方法多用于单质、合金或 氧化物、碳化物的制备，半导体纳米材料的合成也可用其中的许多种方法。但对于III．V族化合物来说， 由于它们有较强的共价性，表面原子的键的结合能较大，因此适用于合成III．V族化合物纳米粒子的方 法较少。本文首次报道了用真空镀膜的方法制备镶嵌在Si02基片上的纳米lnSb颗粒薄膜，并用原子力 显微镜对样品表面进行扫描，研究了镀膜时间对纳米颗粒尺寸影响的规律。 1．实 验 光石英玻璃，通过改变蒸发时间从而控制沉积在Si02基片上的InSb厚度及纳米颗粒的尺寸。将四片石 品均在450℃下退火两小时后直接关炉。在真空中对上述条件下所获得的薄膜在一定温度下进行后处 理，可以使得其中的lnSb析出并结晶，以纳米颗粒的形式镶嵌在Si02介质表面上。通过控制热处理的 温度和时间，得到不同尺寸的lnSb纳米颗粒111。 43 2003年十一省 ～． (市)光学学术会议论文集 ——————————————————————————————————二二——二-—-二·=_二一一二_-二=：：：=：：：：： 在退火时，固溶在样品中的半导体原子、分子和原子团凝聚、长大并结晶，随着退火时间的延长， 固溶的半导体成分逐渐析出，颗粒逐渐长大。当退火时问足够长，在此条件下不再有更多的半导体成分 析出，颗粒不再长大。温度越高，完成此过程的时间越短。但由于lnSb中的Sb易挥发，热处理时温度 不易高于450C·否则lnSb薄膜中的Sb会大量流失，从而使膜失效㈦㈨。所以，在实验中须严格控制 蒸发温度，尽量保持在450。C以下，但为了减少退火的时间，实验中选择退火温