铜薄膜电子声子耦合系数的实验研究.pdfVIP

铜薄膜电子声子耦合系数的实验研究.pdf

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中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号:093450 铜薄膜电子-声子耦合系数的实验研究1 * 马维刚,王海东,张兴,过增元 (清华大学工程力学系,热科学与动力工程教育部重点实验室,北京,100084) (*Tel:(010Email:x-zhang@tsinghua.edu.cn) 摘要:电子元件的超微型化和高集成化,对金属互连线的导热性能提出极高的要求;同时,新型高性 能光电材料的开发,又需要尽可能降低受光激发电子与声子之间的耦合。电子、声子的相互作用过程, 对于能量转换与传递过程微观机理的研究至关重要。这些载能粒子的作用时间都在皮秒-飞秒量级, 本文采用飞秒激光泵浦-探测热反射方法,对铜薄膜中微观粒子作用过程进行了飞秒量级的实验研究。 通过对实验系统精细调节,得到了理想的信号曲线,在此基础上测量了不同泵浦光功率下沉积在硅基 底上厚度为60nm 铜薄膜的电子-声子耦合系数,测量结果为(11~12)×1016 W/ (m3 K) ,和理论值 14×1016 3 W/ (m K)较为接近,并且不随泵浦光强发生变化。 关键词:电子-声子耦合系数,泵浦-探测,飞秒激光,铜薄膜 1 引言 微电子、光电子和微纳加工技术的飞速发展,电子元件的超微型化和高集成化,使 [1] 单位体积内芯片的发热量大大增加,对金属纳米薄膜的导热性能提出了极高的要求 。 金属纳米薄膜导热性能的研究,已成为电子工业发展中的关键课题之一。 图1 量子点材料受光激发(粗体向 上箭头)后电子弛豫机理:(a )P →S 为多声子无辐射跃迁;(b )P→ S 无配对声子,形成“声子瓶颈” (c )螺旋式衰减,P→S 通过电子 将过剩能量传给空穴完成;(d )多 电子生成,激发电子将过剩能量用 [3] 于激发产生新的电子-空穴对 。 另一方面,随着能源问题日益突出,人们开始关注新能源和能源利用新手端的开发。 基于光电效应的太阳能转化系统以其独特的优点引起了人们的广泛关注[2] ,光电材料受 光激发后电子跃迁,如何将高能态的电子及时导出形成电流而尽可能降低其与晶格之间 资助项目:国家自然科学基金(No.和No) [3] 的导热是提高光电材料性能的切入点。2008 年,An 等人 提出在量子点材料中受光激 发的电子弛豫机理,提出量子点材料中的“声子瓶颈”和多电子生成机制。第三代太阳 [4] 能电池将是铜铟硒(CuInSe2 )等化合物薄膜太阳能电池 ,因此对于铜和铟等薄膜,通 过对电子和声子

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