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纪念马祖光院士全国光电子与光电信息技术学术研讨会论文集·哈尔滨2006
碲锌镉探测器晶片退火新工艺
高德友，赵北君，朱世富，唐世红，何知宇，陈俊，张建军，张冬敏，方军
(四川大学材料科学系610064)
摘要：本文报道了一种CZT探测器晶片退火的新装置和新工艺，该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同成分源退火
体的均匀性得到改善。
关键词：碲锌镉单晶片；退火；电阻率；XPS分析；红外透射谱
forDetectors
ANew of Wafers
Cdl．xZnxTe
AnnealingTechnique
GAO JuIl’
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Abstract：A of w娟ersfordetecton w勰usedto of
new锄nealingequipm朋t柚dtechniqueCdI-xznxTc w硇reported．It mnealing
tlIeCZTwafcrs砒400℃柚dfor120hourstlleCd．riched
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improved．XPS
diffusion．The wafers
oftlleCZT
by homogeneity w鹬impmvedvia锄n∞lin辱
transmission
Keywords：CZT analys魄1R spectroscopy
wffer，锄nealin岛∞sistivi坝XPS
下进行了退火实验。实验发现，经过不同气氛退火
l引言
处理的CZT单晶片虽然电阻率有一定程度的提高，
碲锌镉(Cdl．。Zn。Te，CZT)单晶体是一种性能
但单晶片表层一般都呈现红褐色粉状物，表明晶体
优异的室温核辐射半导体探测器材料，在X射线、 表层结构已经被破坏。X射线衍射分析表明表层粉
Y射线成像、天体物理研究、工业探测、安全检测、 状物为ZnTe多晶材料。退火温度越高，对CZT的
核辐射探测和核医学等方面有重要用趔卜4l。 破坏程度也就越深16J。有的研究者采用Cdl．xZnx合
由
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