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A
NovelS01Lateral Devicewith
HighVoltage
Drift
Step Region
GUO
Yufeng融，WANGZhigon92
ofPosts
(1。School andTelecommunications，
ofOptoelectronicEngineering，NanjingUniversity
210003，China；2．InstituteofRF-OEwICs，Southeast
Nanjing University,Nanjing210096，China)
Abstract：Basedonanovel Lateral new
sustaining-voltagetechniqu卜VariedThickness(VLT)．a
SOI devicewith drift is mechanismofthenew
high device
voltage step regionsproposed．羽艟operation
is thetwo-dimensionalsemiconductorsimulatorMEDICI。Theresultsshows
investigateddetaillyusing
that drift cabenableincreaseof5％一IO％inbreakdown of
48％52％in
step region voltage,decrease
drift shrinkof10％indie ortwo P．anleadtO ideal
resistance，and size．Singlesteps approximately
breakdownanddriftresistancein with lineardrift
the thickness。
voltage comparison region
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