低能离子束技术制备纳米碳管初探.pdfVIP

低能离子束技术制备纳米碳管初探 J梅勇刘志凯柴春林 杨少延 秦复光 姚振钮 Fill国 中国科学院平导体研究所平祥体材料科学实验室，北京 100083 一 引言 碳的结构的多样性 短〔程、中程、长程有序)使其在科学和技术上有极人的潜力。它 有SP,SPz,SP二种可能的键结构，叮以形成非品碳，富勒烯，纳米管，也可以形成品态 结构 如金刚石I4f果 由于SP杂化碳薄H#i金刚41薄膜的性质相似，(fH.卜年代以来， 人们t:v将研究11b1、集.N!类金刚4i薄膜 [AI九{年代1富勒稀和纳米碳管的发现促使人 们将研究中亡转向厂SP-杂化的碳膜 业已证明，纳米碳管具有优异的机械，电f,和雄子性能’，这使其有很人的应用价值。 最近，以单壁纳米碳管为基础的室温电f器件己制造出来 z，使人振奋。制备碳管的方法 有电弧放电，激光蒸发，以及催化法3’。本文我们尝试用低能离子束沉积的方法制备纳米 碳管 质量分离的低能离J汽柬沉积技术，.』f以准确扮制离r的能a}.离r的种类，精度达到 同位素纯度;II1以调\l，离f柬流人小:i以I.有极高的真空度 这 切使得它成为研究碳膜 沪L长基本过程的有力手段。自七十年代Aisenberg和Chabe发现类金刚41以来，人们更多 的是用它来制备类金刚Ti薄膜，力求取得接近金刚41薄膜的性质 ’·’·因此，儿乎所有的1 作都集中在室温，我们首次尝试用它在高温 卜制各碳的纳米管。 二 实脸过理 所用质童分离低能离r束沉积设备足我国t1TiQI制的，它山离f019，质W.分析器，来 流偏转系统，减速透镜和把室构成 有关其R.体的描述诸参考文献[1010我们用co作为 气体源以产生所需的碳离f,离子经高r+引出后，再减速到合适的能量，沉积到基片L。 这儿采用的碳离子能量为50,140eV,基片温度为室温至8000C 衬底flit度是通过热电偶 和诏的熔点来校止而定的。沉积过程中靶空的真空度达到2x10Pao所用衬底为导电性能 好的 (100)n-Si.基片经丙酮，酒精和去离厂水超声波清洗后丙用5%的HF酸漂洗以去除 大然氧化层，立即装入靶室以减少!1染。 所得样品用拉燮潜 (Raman)和原子力显微镜 (AFM)进布少了分析。 三 结果和讨论 a ) ( (b) 今 平 创 之 ︸ 一 乎 、 创 、 长 硕 ︸ 一 1 绍 卜 菠 D 8 1 ﹁ 1200 1400 41峪伯称 r-160)0 1200 1400 神愉伯移 lrm1600 ·70 绮;注，雨瘫田瑟下 卜 l e s e s (c) (d) 红 么 子 粉