第五章： 微型计算机存储器系统结构.ppt

第5章 微型计算机存储器系统结构 5.1 存储器概述 5.2 半导体存储器 5.3 微型计算机中存储器的系统组成 5.4 高速缓冲存储器技术 5.1 存储器概述 二、内存和外存 　1.内存 　内存或称主存,也称半导体存储器，用于存放当前计算机正在执行或经常要使用的程序或数据，CPU可直接从内存中读取指令并执行，还可直接从内存中存取数据。内存一般由快速的存储器件构成，它与CPU交换数据的速度很快，在共享存储器的多处理机系统中，内存中数据可以共享，并可实现多处理机间的通信。 三、半导体存储器分类 5.1.2 半导体存储器的主要性能指标 5.2 半导体存储器 ① 存储体 ② 地址译码电路 ③ 片选和读写控制逻辑 表5-1 存储器芯片的工作方式 二、存储器芯片的存储矩阵与地址译码的两种方式 1．单译码方式 2．双译码方式 双译码结构存储器示意图如图5-4所示　 三、存储器芯片的I/O控制逻辑 存储器芯片的I/O控制逻辑如图5-5所示 5.2.2 静态随机存取存储器SRAM 　　静态随机存取存储器SRAM的基本存储单元一般由六管静态存储电路构成，集成度较低，功耗较大，无需刷新电路，由于存取速度快，一般用作高档微机中的高速缓冲存储器。 表5-2 Intel 6264的工作方式 图5-8 SARM读时序 tRC :读周期时间 tAA :地址有效到数据出现到外部数据线上的时间 tOR :OE*结束后地址应保持的时间 tRP :读信号有效的时间 tOE : OE*有效到数据出现在外部数据线上的时间 tCW :片号信号有效的宽度 tACE :CE*有效到数据出现在外部数据线上的时间 tRH :地址无效后数据应保持的时间 tOH :OE*结束后数据应保持的时间 TWC :写周期时间 tAW :地址有效到片选信号失效的间隔时间 TWB :写信号撤销后地址应保持的时间 TCW :片选信号有效宽度 TAS :地址有效到WE*最早有效时间 tWP :写信号有效时间 TWHZ :写信号有效到写入数据有效所允许的最大时间 TDW :写信号结束之前写入数据有效的最小时间 TDH :写信号结束之后写入数据应保持的时间 图5-9 SRAM写时序 5.2.3 只读存储器ROM 一、掩膜式只读存储器ROM 由MOS管组成掩膜式只读存储器的结构图如图5-10所示： 三、可擦除可编程只读存储器EPROM 　 1、 EPROM的基本存储电路如图5-11所示 FAMOS管与MOS管结构相似，它是在N型半导体基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出漏极D和源极S，在漏源之间的SiO2绝缘层中，包围了一多晶硅材料，与四周无直接电气连接，称之为浮置栅极，在对其编程时，在漏源之间加上编程电压（高于工作电压）时，会产生雪崩击穿现象，获得能量的电子会穿过SiO2注入到多晶硅中，编程结束后，在漏源之间相对感应出的正电荷导电沟道将会保持下来，如果将漏源之间感应出正电荷导电沟道的MOS管表示存入0，反之，浮置栅不带负电，即漏源之间无正电荷导电沟道的MOS管表示存入1状态。 Intel2764的引脚与内部结构图如图5-12所示。在EPROM芯片的上方，有一圆形石英窗，从而允许紫外线穿过透明的圆形石英窗而照射到半导体芯片上，将它放在紫外线光源下一般照射10分钟左右，EPROM中的内容就被抹掉，即所有浮置栅MOS管的漏源处于断开状态，然后，才能对它进行编程输入。 Intel2764内部有256×256存储阵列，采用双译码方式，用于寻址8KB存储单元，并有输出缓冲器。具有28脚双列直插式封装，其中A12~A0是地址线， O7~O0是8根地址线。CE*是片选，OE*是输出允许信号，二者均为低电平有效。 Vcc是电源电压，工作电压+5V。VPP是编程电压，在编程时接12~25V电压，注意，一定要根据2764芯片上实际标注的电压值外加编程电压，PGM*是编程控制端。 四、电擦除只读存储器EEPROM 1、EEPROM基本存储电路如图5-13所示:　 EEPROM基本存储电路如图5-13所示。与EPROM相比，它是在EPROM基本存储单元电路的浮置栅MOS管T1上面再生成一个浮置栅MOS管T2，将T2浮置栅引出一个电极，使该电极接某一电压VG2，若VG2为正电压，T1浮置栅极与漏极之间产生一个隧道效应，使电子注入T1浮置栅极，于是T1的漏源接通，便实现了对该位的写入编程。 若VG2加负电压，迫使T1管多晶硅体上的自由电子返回到衬底，复合正电荷，使T1的漏源处于断开状态，便实现了擦除操作。一旦擦除后又可重新写入数据。 CE*是片选，OE*是输出允许，WE*是写入允许，2864需在输入端