西北工业大学 模集实验一 MOS管特性分析.docxVIP

所粘.sp代码只有netlist,sourse,annalysisi,output部分，均不含model 实验一 MOS管特性分析 执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS的栅源电压为1.2V时，PMOS源栅电压等于1.2V时，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下，手工计算出对于NMOS，当VDS=1V时漏电流、跨导的值；对于PMOS VSD=1V时漏电流、跨导的值。并与仿真结果比较。 沟道长度设置为1u，观察器件的漏电流有怎样的变化？ 仿真例示程序结果如图： 电流i(M1)i(M2)波形如图； M1、M2跨导波形如图； .sp代码截图： 在NMOS的栅源电压为1.2V时，PMOS源栅电压等于1.2V时，仿真得到漏电流如图所示： 仿真得到的两者的漏电流如图所示； nmosVDS=1V时，仿真结果得到电流值为5.43*10-5uA,跨导值为0.000217u； PmosVDS=-1V时，仿真结果得到电流值为-1.15*10-5uA,跨导值为5.76*10-5u； .sp代码截图： 手工计算： NMOS： 根据已知条件 VGS=1.2V;VDS=1V; 根据所给模型中的参数： 沟道迁移率为：350cm2V/s 沟道长度调至系数为：0.1V-1 根据 Cox=εoxtox 且tox=50×10-10时，Cox=6.9fF/μm2 计算出COX=3.8333fFμm2； 由电压VBS=0V知此时不存在体效应，NMOS工作在饱和区，故饱和区电流及跨导公式为 ID=12μnCoxWLVGS-VTH21+λVDS gmN=2μnCoxWLID1+λVDS 计算得： ID=12×134.1666×2×1.2-0.72×1+0.1×1 =36.896μA； gmN=2×134.1666μAV2×2×36.896μA×1+0.1×1 =1.4758×10-4S PMOS: 根据已知条件 VGS=-1.2V;VDS=-1V; 根据所给模型中的参数： 沟道迁移率为：100cm2V/s 沟道长度调至系数为：0.2V-1 根据 Cox=εoxtox 且tox=50×10-10时，Cox=6.9fF/μm2 计算出COX=3.8333fFμm2； 由电压VSB=0V知此时不存在体效应，PMOS工作在饱和区，故饱和区电流及跨导公式为 ID=-12μpCoxWLVGS-VTH21+λVSD gmP=2μpCoxWL|ID|1+λVSD 计算得： ID=-12×38.3333×2×-1.2+0.82×1+0.2×1=-7.360μA gmP=2×38.3333μAV2×2×7.360μA×1+0.2×1 =0.368×10-4S 与仿真结果对比发现结果基本相同。 沟道长度设置为1u,仿真结果如图； 从图中可以发现，nmos电流为2.2*10-5pmos电流为-4.49*10-6 .sp代码截图： 对课本34页，习题2.5进行仿真分析。给出手工分析结果和仿真结果。 电路结构如图 仿真波形如图 所编写的.sp代码如图： 分析：如图示，NMOS连接的二极管器件在Vx的变化下发生变化，NMOS始终工作在饱和区，Vx变化范围为0-1.5V,故栅源电压变化范围为3V-1.5V，根据饱和区电流及跨导公式： ID=12μnCoxWLVGS-VTH21+λVDS gmN=2μnCoxWLID1+λVDS=2IDVGS-VTH 漏电流与跨导变化应为单调递减，与仿真结果相同。 电路结构如图 仿真波形如图 所编写的.sp代码如图： 分析：由图知根据nmos各端口电压值知，当VX变化时晶体管会发生源漏反转现象，故电路存在两个工作状态。 第一个工作状态，当VX1V时，VX所连接处视为源极。所以当VX从0V升高时，漏电流逐渐减小。由于漏电流和VDS都在减小，故跨导也减小。 中间工作状态，当VX接近1V时，由阈值电压表可知此时阈值电压接近0.8934V，则可以得出过驱动电压VOD=VGS-VTH=6.6mV，十分微小，且VDS几乎为零，晶体管处于临界导通的深线性区，漏电流极其微小，经过手工计算结果只有20nA左右。 第二工作状态，当VX1V时，VX所连接处视为漏极。由于此时VSB=1固定不变，则VTH=0.8934，过驱动电压VOD=6.6。随着VX的升高，晶体管从深线性区逐渐进入饱和区，漏电流和跨导逐渐增大。 与上面仿真图对比，仿真结果与我们的推测完全相同。 电路结构如图 仿真波形如图 所编写的.sp代码如图： ??析：如图，图中源级电压为1.9V，栅极电压为1V,故图中标识的源级其实是nmos的漏级，故Vx在0.3Vnmos导通，且一定工作在饱和区，其他电压下noms