IGBT应用中常见问题及解决方法精选.pdfVIP

IGBT应用中常见问题及解决方法 来源：半导体器件应用网 gtr mosfet igbt 80 摘要：综合了 和 优点的 ，是一种新型的 年代问世的绝缘 栅双极性晶体管，它控制方便、工作频率高、开关速度快、安全工作区大。随着 电压、电流等级的不断提高，igbt 成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤 波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。 , ,ups , ,ups 关键字：变频调速器 开关电源,, ,,uuppss 逆变电源 随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，开关器件在应用中潜在的问 题越来越凸出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和 工作可靠性。为解决上述问题，积极采用了过电流保护、散热及减少线路电感等 措施，缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究，取得了迅速的进展。本文就 针对这方面进行了综述。 2 igbt 的应用领域 2.1 在变频调速器中的应用 spwm 变频调速系统的原理框图如图1所示。主回路为以 igbt 为开关元件的电 压源型 spwm 逆变器的标准拓扑电路，电容由一个整流电路进行充电，控制回路 产生的 spwm 信号经驱动电路对逆变器的输出波形进行控制;变频器向异步电动 机输出相应频率、幅值和相序的三相交流电压，使之按一定的转速和旋转方向运 转。 2.2 在开关电源中的应用 图2为典型的 ups 系统框图。它的基本结构是一套将交流电变为直流电的整流 器和充电器以及把直流电再变为交流电的逆变器。蓄电池在交流电正常供电时贮 存能量且维持正常的充电电压，处于“浮充”状态。一旦供电超出正常的范围或 中断时，蓄电池立即对逆变器供电，以保证 ups 电源输出交流电压。 1 ups 逆变电源中的主要控制对象是逆变器，所使用的控制方法中用得最为广 泛的是正弦脉宽调制(spwm)法。 2.3 在有源滤波器中的应用 并联型有源滤波系统的原理图如图3所示。主电路是以 igbt 为开关元件的逆 变器，它向系统注入反向的谐波值，理论上可以完全滤除系统中存在的谐波。与 变频调速器不同的是，有源滤波器 pwm 控制信号的调制波是需要补偿的各次谐波 的合成波形，为了能精确的反映出调制波的各次谐波成分，必须大大提高载波的 频率。这对开关器件的开关频率也提出了更高的要求。 3 igbt 应用中的常见问题分析 显然，igbt 是作为逆变器的开关元件应用到各个系统中的，常用的控制方法 是 pwm 法。理论上和事实上都已经证明，如果把 pwm 逆变器的开关频率提高到 20khz 以上，逆变器的噪声会更小，体积会更小，重量会更轻，输出电压波形会 更加正弦化，可见，高频化是逆变技术发展方向。但是通常的 pwm 逆变器中，开 关器件在高电压下导通，在大电流下关断，处于强迫开关过程，在高开关频率下 运行时将受到如下一系列因素的限制： (1) 产生擎住效应或动态擎住效应 igbt 为四层结构，使体内存在一个寄生晶闸管，等效电路如图4所示。在 npn 2 管的基极与发射极之间存在一个体区短路电 rs，p 型体区的横向空穴流会产生一 定的压降，对 j3来说相当于一个正偏置电压。在规定的范围内，这个正偏置电 压不大，npn 管不会导通。当 ic 大于一定程度时，该正偏置电压足以使 npn 管 开通，进而使 npn 和 pnp 管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，栅极失去控制 作用，即擎住效应，它使 ic 增大，造成过高的功耗，甚至导致器件损坏。温度 升高会使得 igbt 发生擎住的 icm 严重下降。 在 igbt 关断的动态过程中，如果 dvce/dt 越高，则在 j2结中引起的位移电 流 cj2dvce/dt 越大，当该电流流过体区短路电阻 rs 时，可产生足以使 npn 晶体 管开通的正向偏置电压，满足寄生晶闸管开通擎住的条件，形成动态擎