光照度传感器 最全PPT.pptVIP

2 3 6 1 4 5 一种常见的光电管外形 1-阳极A 2-阴极K 3-玻璃外壳 4-管座 5-电极引脚 6-定位销 129464N? 紫外光电管 外光电效应器件→光电管 光电管的基本特性 暗电流：无光照时，光电流不为零的现象； 温度特性：光电管的光照特性、伏安特性等会受温度影响； 频率特性：当光强按照一定频率变化时，光电流随频率变化的关系； 稳定性和衰老：短期稳定性好；入射光越强衰老越快。 光电管的基本特性 外光电效应器件 外光电效应器件→光电倍增管 光电倍增管的工作原理建立在光电发射和二次发射的基础之上。在玻璃管内除有光电阴极和光电阳极外，还有若干个光电倍增极，光电倍增极的形状及位置设置得正好使前一倍增极发射的电子继续轰击后一倍增极。光电倍增极上涂有在电子轰击下能放射更多“次级电子”的材料，常用的有锑化钨、氧化银镁合金等。 U0 RL D1 D3 K A D2 D4 φ 图光电倍增管结构及工作原理 外光电效应器件→光电倍增管 工作时倍增极电位是逐级增高的，当入射光照射光电阴极K时，立刻有电子逸出，逸出的电子受到第一倍增极正电位作用，使之加速打在第一倍增极，第一倍增极发射的电子(即二次发射)在第二倍增极更高正电位作用下，再次被加速打在第二倍增极上，第二倍增极又会产生二次电子发射，这样逐级前进，直到电子被阳极A收集为止。 阴极K 第一倍增极 第四倍增极 第三倍增极 第二倍增极 阳极A 入射光 RL U0 D1 D4 D3 D2 IA K A R4 R3 R2 R1 R5 特点： 灵敏度高 适合弱光 强光易损坏 外光电效应器件→光电倍增管 光电倍增管的放大性能用倍增系数M衡量。M等于各个倍增电极的二次发射电子倍数di (i=1,2,…)的乘积，若有n个倍增电极，且每级的di都一样，则 一般M在105～108之间。因此，设光电阴极的光电流为I0 ，则到达阳极的电流为 外光电效应器件→光电倍增管 光电倍增管有放大光电流的作用，灵敏度非常高，信噪比大，线性好，多用于微光测量。 几种光电倍增管的外形如图所示。 内光电效应 内光电效应按其工作原理可分为：光电导效应、光生伏特效应 1.光电导效应 在光照射下，半导体材料的电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，从而引起材料载流子浓度增加，使电阻率变化，这种现象称为光电导效应。 2.光生伏特效应 在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。典型光电元件有光电池等。 基于内光电效应的光电器件有光敏电阻、光电池、光敏二极管和光敏三极管等 内光电效应 内光电效应→光敏电阻 光敏电阻结构图 1-梳状电极； 2-光导体； 3-透光窗口; 4-外壳; 5-绝缘基体； 6-黑色玻璃支柱： 7-引脚 光敏电阻 RG RL 光敏电阻又称光导管，是一种均质半导体光电器件。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体材料，两端装上金属电极，然后压入塑料封装体内。 无光照射时：呈现高阻状态，称暗阻，一般在兆欧级。 有光照射时：呈现低阻状态，称亮阻，一般在几千欧以下。 灵敏度高，体积小，重量轻，性能稳定，价格便宜。在检测与自动化技术中广泛应用 内光电效应→光敏电阻 将光敏电阻接到外电路中时，若改变光照射，回路电流改变。为提高光敏电阻的灵敏度，应尽量减小电极间的距离。面积较大的光敏电阻，通常采用在光敏电阻薄膜上蒸镀金属梳状电极。常用的光敏电阻材料有硫化镉、硒化铅、碲化铝等。 内光电效应→光敏电阻 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 内光电效应→光敏电阻 光敏电阻的基本特性 ②光照特性 指光敏电阻的光电流I和光照强度之间的关系 右图为光敏电阻的光照特性 光敏电阻的基本特性 ①伏安特性：在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系。 右图为硫化镉光敏电阻的伏安特性 ③光谱特性 光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系。即光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。 光敏电阻的基本特性 ④温度特性 光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应、灵敏度和暗电阻。 硫化铅光敏电阻受温度影响更大。 右图为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性 光敏电阻的基本特性 内光电效应 光电池 光电池是在光线照射下，利用光生伏特效应，将光量转变为电动势的光电器件。由于它常用于把太阳能变成电能，因此又称太阳能电池。 内光电效应→光电池 编码器用硅光电池 太阳能应急灯 内光电效应→光电池 光电池 的种类很多，有硅、砷化镓、硒、氧化铜、