聚焦离子束系统研讨.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 聚焦离子束系统研究 张彬庭谭翔壬功荣刘京威宋秀云 (中国电子科技集团公司第四十八研究所长沙410111) 摘要：本文介绍了微细聚焦离子束设备的系统概况，系统通过采用双透镜并行工作模式，双频激 光测距工件台，离子束扫描成像等技术，使系统满足实用化的要求。： ．． 关键词：聚焦离子束(FIB)，工件台，扫描离子成像，双透镜并行工作模式 1、引言 聚焦离子束(FIB)技术是一种集形貌观测，定位制样、成份分析、薄膜沉积和无掩模刻蚀各过程于 一身的新型微纳米加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度及速度， 目前已成为微电子工业的关键技术之一。 在半导体生产中，随着芯片工艺突破0．1微米，集成电路出现设计错误和工艺缺陷的几率大大增 加；同时，由于SOC的大量出现，产品的生命周期缩短，生产批量减小。利用聚焦离子柬系统的显微分 析功能可以快速、准确地找到芯片设计错误和工艺缺陷，然后进行微细加工并对这些错误和缺陷直接 进行改正和修理，聚焦离子束的重要贡献在于缩短了制作修改版本芯片的周期并降低了费用，因此， 采用微细聚焦离子束系统在硅片阶段进行故障分析和修理，已成为降低成本，缩短到大量生产之间的 时间的必不可少的手段。 芯片集成度和复杂程度的不断提高使得由于生产工艺原因造成的产品废品率大为增加，因此，在 生产过程中对芯片质量进行在线分析，为调整工艺参数提高成品率提供数据，已经成为聚焦离子束系 统的重要应用方向。 2、系统概况 聚焦离子束系统主要由离子光学系统、三维工件台、计算机控制系统、扫描作图系统、信号探测与 定位修正系统、超高真空系统、工件传送控制系统、高精度高压电源系统等组成。系统示意图见图lt 2．1、离子光学柱镜简系统 根据离子光学理论，工件面上离子束斑直径可表述为： d=(ds2+dc2)14 ds=l／2MCs矿 dc=M△E／ECcct 其中 cc、cs分别为透镜的色差和球差系数，d为束斑直径，M为系统的放大倍数，d为离子源引出束半 散角，E为离子束能量，AE为离子束能量向扩张，在离子光学柱的设计中，关键是聚焦透镜的设计，尽 量减小球差、色差及偏转象差等，同时使离子源引出柬流的半散角要小。 整个光路包括的主要光学部件为： 离子源、引出系统、透镜聚焦系统、束对中系统、高速消隐系 一178- 2005年12月 第十三届全目电子束·毒子束·光子束学术年套 湖南·长沙 图1聚焦离子束刻蚀系统示意图 统、消像散、偏转系统及光栏等。 离子源：考虑到离子源要能满足微聚焦的具体特征，因此要求离子源具有高的表面张力、能散度 小、聚焦性优、柬流稳定性好，参考国外的离子源使用情况我们决定采用Ga液态金属离子源。此外，还 因为Ga液态金属离子源具有质量较大，加工效率较高等特点，而便于微机械加工。 透镜系统：从离子源引出的离子束具有发散性，必须通过透镜系统进行聚焦，才能得到理想的柬 斑。由于两级透镜比单级透镜更具有实用性、灵活性，便于各种光学元件(消隐光栏、限制光栏、消像散 器等)的安置，系统采用两级透镜并行工作模式。在工艺刻蚀过程中。两级透镜并行模式允许使用者直 接选择不同光栏凋整束斑尺寸和束流，不会影响离子光学柱的参数。 在两透镜之间设计了可调限制光栏，一方面，它只允许近轴的离子通过，减少球差弥散圆斑的影 响；同时，设置了五档不同的光栏孔径，根据工艺要求选择不同的光栏。可调限制光栏有光栏有一个x、 Y方向调整的机械调整装置，由步进电机驱动控制，减少了人为因素的影响。 在两透镜之问设计了消隐光栏，采用平行板消隐电极，用于离子束高速作图时的束通断。其下设 计了一信号探测器，将离子束信号引出，用于束流信号的检测；在合轴调整时，用于检测束线的对中。 -179- 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·