聚焦离子束诱导沉积铂的电阻率特性研究.pdfVIP

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2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 聚焦离子束诱导沉积铂的电阻率特性 罗强金爱于杨海方顾长志 (中国科学院物理研究所微加工实验室,北京100080) 摘要:聚焦离子束技术常被用于集成电路的修整与失效分析,通过切断某些金属连线和诱导沉积 新的金属连线来测试所设计电路的特性。在低维材料的电输运性质研究中,它也常被用于制作微电 极。因此,在这些应用中。采用聚焦离子束诱导沉积的金属本身的电学性质变得比较重要。在本文中, 我们采用聚焦离子束诱导沉积方法制作了不同尺寸的铂线条,并测量了其电流一电压曲线。实验结果 表明,所选用的束流密度对沉积的铂的电阻率有较大影响.当选择适当的束流密度进行沉积时,可获 得最小的电阻率,束流密度过大或过小都将导致其电阻率变大。 关键词:聚焦离子束诱导沉积;铂;电阻率 The of focusedionbeam resistivity propertiesplatinumdepositedby Luo,Ai-zi Gu Qiang JiIl,Hai-fangYang,Chang-zhi of of ofSciences LaboratoryMicrofabfieation,InstitutePhy8ics,ChineseAcademy ofChina 100080。Peoples Beijing Republic Abstrace:Focusedion to is used circuitsin beam(FIB)technology med曲integrated commonly some designsby metaltracksand newmetalconnections.Itis debugging disconnecting depositing to al∞usedfabricatemicro—electrodesforelectriealcharacterizationoflowdimensionmaterials.So fabricatedmetal theelectrical ofthe ionbeaminduced by depositionOBID)becomes property quite withdifferentwidthWefabricatedIBID important.Inthis咖dy,platinum任均straps by method, andtheirI-VcharacteristicsWerealso resultsshowthatbeammnTeut Can performed.The

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