绝缘栅双极晶体管IGBT模块的可靠性研讨.pdfVIP

绝缘栅双极晶体管((IGBT)模块的可靠性研究， 北京工业大学电子工程系 (it京 IN=) 崔雪青 刘秀兰 王彦刚 武力 吴武臣 珊士苏挤世工业大学 (〔日刃的为 M.Hdd PScacco P】留Ob 关健词:IGBT模失 锁定效应.百环工作寿命。可命性. 摘要:本文主要报道IGBT模块可命性的一些试脸结果及失效分析结果。模块开关试脸观侧到的IGBT锁 定失效揭示了模块驱动电路对其开关特性的影响。400安11200伏IGBT模块功率循环寿命试脸结果表明引 线压焊是目前形响IGBT模块长期工作寿命的主要因素.上述试脸结果和理论分析相符。 一 引言 近年来电力电子器件得到了迅速发展，以绝缘据双极晶体管 (IGBT:InsulatedGate BipolarTransistor),舒电感应晶闸管(SITH:StaticInductionThyristc心MOS控制晶闸管 (MOS-ControlledThyristor}墓区电阻控制晶间管 (BRT:BaseResistorControlledThyristor) 及发射极开关晶闸管 (EST:EmitterSwitchedThyristor)构成的现代电力电子器件家族在当 前的电力电子工业革命中发挥了至关重要的作用1〔1[2I。和上述其它器件相比，作为高压大 功率开关器件的(BT模块以其MOS结构的高速、驭动简单及双极器件大功率特性等优点 而成功地应用在诸如电力机车等电力传动领域[3I。目前，IGBT模块的研制方向是进一步 向更大电流、更高电压领域发展，自1200安/1200伏模块于1993年问世以来，世界各大IGBT 生产厂商正致力于研制2500-3000安13000-4000伏巨型IGBT模块以代替GTO模块。 和 IGBT模块本身飞速发展相比，其可靠性研究则显得相应滞后。原因之一是模块本 身发展速度过快，原因之二是IGBT模块可靠性试脸耗资耗时巨大.例如，400勿1200伏 IGBT模块功率循环寿命试验所需时间可长达数周甚至数月之久。因此，目前关于模块可 命性研究结果的公开报道数t有限。 本文主要介绍IGBT摸块可靠性的一些试脸结果及失效分析结果。半桥IGBT模块开 关试脸首次观侧到模块导通时发生锁定失效 (latching-up)，揭示了模块奥动电路对模块开 关特性的影响.400勿1200伏IGBT棋块功串循环寿命试脸结果表明引线失效是目前影响 IGBT模块长期工作寿命的主要因素. 二半桥IGBT模块导通时的锁定失效 共对二十五只来自不同厂家的900/400安 1200伏半桥组态 IGBT模块进行了开关试 脸，目的是研究棋块的开关特性及可命性，圈一给出了半桥模块的结构及试脸原理电路. 由图一可以看出，模块由上半桥份T1和下半桥扮T2构成，每一桥价又和一个续流二 极管(DI,D2)反井联连接.当T2关断时，感性负载L所产生的感应电势会诱发T2关断 失效，即关断时的镇定失效。续流二极管对感应电势提供了释放通道从而防止模块在关断 时发生关断失效.二极管D，电阻R和电容C构成的保护电路可以吸收电源的扰动电压以 保证电路安全工作。 国家自然基金《%‘%口5)及北京市自然荃金(4982006)资助顶目. ‘.yma, 日 脚 弧 万一飞七 : + ! 扮 气 期 t I 、 ， l . 」 卜 1 料 七二.亡__- - - 育 」 T - J . I C 圈一 半桥IGgT棋块结构及试脸原理电路 圈二 模块导通失效的电流电压波形 由图一还可以看出，模块上半桥竹TI 的播极和发射极间接有。21伏偏t电压，这意味 着上半桥嘴TI在试验过程中处于关闭状态即不参加开关试脸.如是，只有下半桥特TZ参 加开关试脸。+15伏脉冲信号经橱极电阻at加到下半桥件”以控制其导通和关断。此外， 娜00伏电压同时分别加到Tl和TZ 的集电