适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器-北京大学学报.PDFVIP

北京大学学报(自然科学版), 第 50 卷, 第 4 期, 2014 年 7 月 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, Vol. 50, No. 4 (July 2014) doi: 10.13209/j.0479-8023.2014.104 适用于低电源电压的快速预充Flash 灵敏放大器 † 黄鹏 王源 杜刚 张钢刚 康晋锋 北京大学微电子学研究院 , 教育部微电子器件与电路重点实验室 , 北京 100871; † 通信作者 , E-mail: wangyuan@pku.edu.cn 摘要 提出一种新型快速预充 Flash 灵敏放大器, 能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控 制的预充电路模块, 使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充 Flash 灵敏放大器的改进型, 进一步使用 反相器构成参考电压发生电路 , 取消电流源模块 , 从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善 , 65 nm CMOS 工艺条件下仿真结果表明, 相比传统结构，新结构预充速度提高 15%, 功耗降低 14%。 关键词 快闪存储器 ; 灵敏放大器 ; 低压 ; 预充 中图分类号 TP333 Fast Pre-charge Sense Amplifier for Low-Voltage Flash Memory † HUANG Peng, WANG Yuan , DU Gang, ZHANG Ganggang, KANG Jinfeng Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871; † Corresponding author, E-mail: wangyuan@pku.edu.cn Abstract A new flash sense amplifier (SA) is presented, which has a fast pre-charge speed, low power and low supply voltage. Compared to the conventional low-voltage SA, the novel amplifier uses two inverters to improve pre-charge speed by feedback-control pre-charge circuit and to reduce power consumption by taking place of the current source module in reference voltage generation circuit, respectively. In 65 nm CMOS process, the pre- charge time of novel circuit is improved above 15%, and the power dissipation is lowered about 14%. Key words flash memory; sense amplifier; low-voltage; pre-charge 快闪 (Flash)存储器作为非挥发性存储