通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能-系统管理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２５ ４ Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．４ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２０１０ ８ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａｕ．２０１０ ｑ ｙ ｐ ｙ ｇ 文章编号： （ ） １００７２７８０２０１００４０５１５０４ 通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能 ， １２ ３ ３ １ １ ２ 胡超权 ，王笑夷 ，陈 红 ，朱嘉琦 ，韩杰才 ，郑伟涛 　 （ 哈尔滨工业大学 复合材料与结构研究所，黑龙江 哈尔滨 ， ： ； １． １５００８０Ｅｍａｉｌｈｕｃｈａｏｕａｎ０１１９ ａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎ 　 ｑ ＠ｙ ２．吉林大学 材料科学与工程学院，吉林 长春 １３００１２； 　 ３．中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 光学系统先进制造技术重点实验室，吉林 长春　１３００３３） 摘 要：利用磁控溅射制备碳化锗（ ）薄膜，系统地研究了生长温度（ ）对所获薄膜成分及性能的影 Ｇｅ Ｃ 犜 　 １－狓 狓 ｇ 响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有 薄膜样品均为非晶结构，随着 从 增加到 Ｇｅ Ｃ 犜 ６０℃ １－狓 狓 ｇ ５００℃，膜中锗含量增加，而碳含量相对降低，这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量，进而导致薄 膜折射率从 ２．３增加到 ４．３，这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于 Ｇｅ Ｃ 多层红外增透保护膜的 １－狓 狓 设计和制备。此外研究还发现，随着 的增加， 膜中 — 和 — 键逐渐减少，这不但显著减小 犜 Ｇｅ Ｃ Ｇｅ Ｈ Ｃ Ｈ ｇ １－狓 狓 了薄膜在～５．３ ｍ和～３．４ ｍ处的光吸收，而且显著提高了薄膜的硬度。这些结果表明，提高生长温度是 μ μ 调制 Ｇｅ Ｃ薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径。 １－狓 狓 关 键 词：生长温度；碳化锗