采用新型高摆率电路的电动汽车驱动控制器设计-电子器件.PDFVIP

第39卷 第6期 电 子 器 件 Vol39 No.6 2016年12月 ChineseJournalofElectronDevices Dec. 2016 ElectricVehicleDrivingControllerwithNewHighSlew-RateCircuit* ZHANGMei ，HUANGRujun* （DepartmentofMechanicalandElectricalEngineering，GuangzhouKangdaVocationalTechnicalCollege，Guangzhou511363，China） Abstract：Inordertoreducethecostandpowerconsumptionofanelectricvehicledrivingcontroller，ahighslew rateoperationalamplifierisproposed.Theamplifierincludesanovelslewrateenhancementcircuitforliftingloads. Theoverallstructureofthedriveincludes 8051 microcontroller，embeddedFLASHmemory，customizedDSP co- processor，resistortypeDAC，powermanagementunit（PMU）aswellastheanalogbuffer.Thewholedrive controllerhasbeenrealizedin0.18mmCMOStechnology.Experimentalmeasurementsshowthatcomparedtoother similarstructures，theproposedoperationalamplifierallowstodrive 1000 pFhighloadsofpowerFET，thepower lossisonly 0.38 mW，slewrateis 0.22 V/ms，anditcanabletomeettheautomotiveapplicationsdemanding（the environmenttemperaturerangeis-40℃~160℃），andelectrostaticdischarge（ESD）characteristicsof±4kV. Keywords：electricvehicle；highslew-rate；drivecontroller；gainpromotion EEACC：8520B doi：10.3969/j.issn.1005-9490.2016.06.042 采用新型高摆率电路的电动汽车驱动控制器设计* 张 梅 ，黄如君* （广州康大职业技术学院机电工程系，广州511363） 摘 要：为了降低电动汽车驱动控制器的成本和功耗，提出了一种采用高摆率运算放大器的嵌入式数字驱动控制器。该运 算放大器包括一种新型压摆率提升电路，以便提升负载。驱动控制器总体结构包括8051单片机、嵌入式FLASH存储器、定制 的DSP协同处理器等模块。采用0.18mmCMOS工艺进行了实现。实验测量结果显示，相比其他类似结构，提出的运算放大器 能够驱动负载1000pF的功率晶体管，并且功耗更低仅为0.38mW，压摆率为0.22V/ms，能够满足汽车应用的严苛要求（环境 温度范围为-40℃~160℃），并且静电放电（ESD）特性为±4kV。 关键词：电动汽车；高压摆率；驱动控制器；增益提升 中图分类号：TM44 文献标识码：A 文章编号：1005-9490（2016）06-1501-05 驱动控制器是电动汽车的关键部件，通过驱动 战性的工作，原因在于设计的驱动控制器必须满足 控制器我们能够对新一代电动汽车中的执行器（例 严苛的环境要求，如：温度范围较广为-40 ℃~ ［1］ 如 ：电动机、继电器、电磁喷射器、LED及电阻加热