半导体中的空间电荷层电位分布与能带弯曲.PPTVIP

半导体表面的能带结构 杜 鹏 2016/12/22 图0 半导体/溶液界面结构示意图 剩余电荷 1. 半导体/溶液界面的结构与性质 半导体/溶液界面接触时的能带结构 动态平衡 图1 N型半导体与溶液接触前后能带的变化 E电子能量 N型半导体 溶液 (a)溶液接触前 E电子能量 N型半导体 溶液 (b)溶液接触后 N型半导体能带从本体到表面向上弯曲。同理,P型半导体能带一般从本体到表面向下弯曲。 半导体中的空间电荷层、电位分布与能带弯曲 （1）空间电荷层 N型半导体 溶液 0 x - + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - OHP 界面 空间电荷层 ⑴ 空间电荷层 ⑵ 电位分布与能带弯曲的方向和程度 ①电位分布与能带弯曲的方向取决于初始 的相对位置。 ②实际上界面还有吸附离子，表面态等形成剩余电荷 作为半导体/溶液界面双电层的其他来源。 （2）界面电位分布 N型半导体 溶液 0 x OHP 空间电荷层 E N型半导体 溶液 (3) 能带弯曲 空间电荷层 0 ③“自发”形成的双电层结构，同金属电极一样，也可以由外电源充电形成界面双电层。此时界面结构与能带弯曲取决于充电形成的电极电位。 空间电荷层的不同表现形式 空间电荷层的存在是半导体电极界面结构的一个最基本特征。通过对半导体电极施加外电势，可以对其空间电荷层进行调节。不同电极电位及其引起的能带弯曲不同，可以导致三种形式的空间电荷层。 平带 0 x x 0 x 空间电荷层 (a)积累层 x 空间电荷层 ⑴ 电位和能带弯曲 富集层（积累层）及其特点 ⑵ 空间电荷层载流子分布服从Boltzmann统计规律 ⑶ 积累层中，负的空间电荷是由于过剩的导带电子组成，故此层载流子类型与本体相同，但浓度更高，因此其导电性明显增加。 耗尽层的特点 (b) 耗尽层 0 x 空间电荷层 x 空间电荷层 N型半导体与溶液接触时，当不施加外电场时通常形成耗尽层。 (c) 反型层 0 x 空间电荷层 x 空间电荷层 N型半导体和表面能量差进一步增加时，电极/溶液界面处的能带弯曲进一步加大，形成所谓的反型层。 反型层 半导体/溶液界面的电位分布 1. 半导体/溶液界面半导体一侧空间电荷层的电位分布 图2 半导体/溶液界面的电位分布 半导体 溶液 x 2.半导体/溶液界面电容 Mott-Schottky公式 谢 谢