Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 24 (2013) 247401 Ge 掺杂n 型Sn 基VIII 型单晶笼合物的制备 及热电传输特性* 孟代仪 申兰先 晒旭霞 董国俊 邓书康† ( 云南师范大学, 太阳能研究所, 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 昆明 650092 ) ( 2013 年9 月3 日收到; 2013 年9 月27 日收到修改稿) 采用Sn 自熔剂法制备了具有n 型传导的VIII 型Ba Ga Ge Sn (0 x 10) 单晶笼合物, 并对其结构和热 8 16−x x 30 电特性进行研究. 研究结果表明: Ge 在单晶中的实际含量较少, 随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小, Ge 掺 杂后样品的载流子浓度较掺杂前低, 迁移率增加; 所有样品的Seebeck 系数均为负值, 且绝对值较未掺杂样品低, 但 Ge 掺杂后样品的电导率提高了62%; x 05 的样品在500 K 附近取得最大ZT 值1.25. 关键词: VIII 型笼合物, n 型传导, 热电性能 PACS: 74.25.fg, 74.25.fc, 81.10.−h DOI: 10.7498/aps.62.247401 6−8 种化合物属于VIII 型笼合物: Ba Ga Sn , - 8 16 30 1 引言 Eu Ga Ge 9−11 , Sr Ga Al Ge (6 x 10)12 8 16 30 8 16−x x 30 和 Sr Ga Al Si (8 x 10)13 . 其中, VIII 型 8 16−x x 30 热电材料是利用材料的Seebeck 效应来实现热 Ba Ga Sn 笼合物由于具有较高的Seebeck 系数 8 16 30 能(如太阳能、工业余热、地热等) 与电能之间相 和较低的热导率而成为最有应用前景的热电材料 互转换的一种清洁半导体材料. 热电材料的热电性 之一 14−16 . VIII 型笼合物为简单立方结构, 空间 能用无量纲性能指数ZT 描述, 即ZT 2 T , ¯ 群为I43m. 图1 所示为VIII 型笼合物Ba Ga Sn 8 16 30 式中