用SiCl4H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( 1 ’$$ 1 ， ， ， KH. /( 3H / 1 R@V@? ’$$ （ ） #$$$7’F$,’$$,( $1 ,1$7$ R-SR J+T)U-R )U3U-R !’$$ -W* / JW; / )HC / 用!#$ ’ 气源沉积多晶硅薄膜 % ( 光照稳定性的研究! ! 祝祖送 林璇英 余云鹏 林揆训 邱桂明 黄 锐 余楚迎 （汕头大学物理系，汕头 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$( #’ ’$$ 对以)*+ , + 及)*-. , + 为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进 ( ’ ( ’ 行了光照稳定性的研究 实验表明，制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象，其光电导、暗电导在 / 光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约/ 多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高 的晶化度及-. 元素的存在/ 关键词：多晶硅薄膜，稳恒光电导效应，晶界，光致衰退效应 ： ， ， ， )*## 0’1$ 0%$2 0’1$3 %(0$4 在前期工作中，我们以)*-. , + 为源气体，采用 ( ’ 引 言 通常的等离子体增强化学气相沉积（ ）技术在 #D J6-KL 低温（低于 $$ M ）下研制出沉积速率高达 $ D ［— ］ 非晶硅氢合金（ ：）薄膜在太阳电池、大屏 97)* + 8, ，晶化度达 1$ N 以上的多晶硅薄膜 / 近期， 幕液晶显示以及薄膜晶体管等微电子领域都有着广 我们对这种多晶硅薄膜进行了长时间光照下光电导 泛的应用，但由于非晶硅本身所固有的光致衰退效