塑封简介-C.ppt

Dec. 2002 內容 塑封概述 塑封料 成份 環氧樹脂 硬化劑 填充料 其它成份 模具 塑封料的使用 塑封料 成份 成份 環氧樹脂 硬化劑 催化劑 低模量添加劑 耦合劑 主要作用 聯結者 線性 / 交聯聚合反應 促進聚合反應速率 降低模量 促進有機相與無機相的聯結 增加強度 增加黏著力 塑封料 環氧樹脂 塑封料 硬化劑 塑封料 填充料 塑封料 其它成份 塑封料 技術規格 塑封料 相關失效模式 模具 概述 底部注塑 空洞少 外來物少 衝桿頭和投料筒之間磨損少 衝桿頭和投料筒之間斷裂少 不易投料 頂部注塑 空洞多 外來物多 衝桿頭和投料筒之間磨損多 衝桿頭和投料筒之間斷裂多 容易投料 塑封料的使用 塑封前準備 塑封料回溫 在火焰上放置10秒 移開，並計算試棒上火焰熄滅的時間 重覆一次，在火焰上放置10秒 移開，並計算試棒上火焰熄滅的時間 重覆試驗5支試棒 如無任何一支試棒燃燒時間長於10秒且總燃燒時間 50秒，即符合V0。 試棒置於內含氧和氮氣的玻璃罩內 點燃試棒並將含氧量調節到恰好使試棒能夠燃燒 所紀錄的%含氧量即為氧氣指數 阻燃試驗 N2 O2 UL 94 試驗 氧氣指數 Oxygen Index 封裝的可靠性 金屬間化合失效 靜電破壞 爆米花現象 突出物增生 腐蝕 介電崩潰 鋁路偏移 吸濕 塑封體裂紋 和底材的黏著 晶片裂紋 翹曲 保護層裂紋 球銲不良 空洞 軟性錯誤 斷線 一般的漏電 衝線 Outgassing Hν 輻射暴露 Chip Inner Lead Die Pad Wire 10 9 3 2 10 封裝的可靠性 1 7 Ball Bond Bond Pad 塌線 衝線 空洞（塑封料） 空洞（銀膠） 斷線 保護層裂紋 鋁路偏移 第二銲點脫落 腐蝕 晶片裂紋 分層 應力來源 固有應力 塑封料和塑封可能會造成晶片晶格的扭曲。 從緩和扭曲的方向發生的應力即為固有應力。 熱應力 由於各種不同原料間熱膨脹係數的差異發生的應力即為熱應力。 塑封體應力 成因： 矽（晶片）： 填充料（SiO2）： 保護層（SiN）： 鋁路（Al）： 塑封料： BT樹脂： 銅製引線框架： 效應： 分層 保護層裂紋 介電質裂紋 晶片崩碎 / 裂紋 鋁路偏移 電性偏移 塑封體裂紋 2.5 ? 10?6/°C 0.6 ~ 0.9 ? 10?6/°C 2.8 ~ 3.2 ? 10?6/°C 23 ? 10?6/°C 15 ? 10?6/°C 18 ? 10?6/°C 17 ? 10?6/°C 過程： 自塑封後冷卻 自後固化後冷卻 溫度循環：?65 ~ 150°C 熱衝擊：?150 ~ 15°C 壓力釜：1 atm@121°C HAST 量測技術： 干涉測量法 X-ray 聲波顯微鏡 雙分子束偏轉法 壓敏電阻表 依熱膨脹係數及模量計算 塑封體應力 應力模式公式 使用應力改質劑降低應力 τcalc = 0.293[(4.731-4.024tchip)+(2.514+1.176tchip)ln tpkg]ERΔTΔα = Const x (ERΔTΔα) tchip tpkg ER ΔT Δα τcalc = 晶片厚度：mm = 塑封體厚度：mm = 經吸濕前處理後在215°C下的楊氏模數（Young’s modulus）：gpa = 迴流銲溫度 ? 塑封溫度：°C = 塑封料alpha 2 ? 晶片alpha：ppm = 運用有限元素分析（FEM）計算所得的應力 熱膨脹係數不一致造成的BGA翹曲 理論 Warpage = –3(αS-αC)(T–Tm)(tS+tC)d2 4tS2 {(4+6tC/tS+4(tC/tS)2+(EC/ES)(tC/tS)3+(ES/EC)(tS/tC)} 其中： αS αC : 基板及塑封料的熱膨脹係數 tS tC : 基板及塑封料的厚度 Ea Eb = 基板及塑封料的模量 Tm : 塑封溫度 T : 溫度 d : 塑封體長軸尺寸 Molding Compound Substrate d tS tC 熱膨脹係數的效應 應力飄移 為金屬線內金屬原子因為應力而飄移的現象 在高溫下由於各原材料間熱膨脹係數的差異而造成。 當應力超過臨界程度後金屬原子開始熱擴散進入晶粒邊界，使分佈在各晶粒邊界中的缺陷飄移。 結果使缺陷在某處局部收歛，造成斷線和其它問題。 爆米花現象 H2O 預處理 裂紋 塑封體變形 蒸汽－分層 IR/VP 迴流銲 IR/VP 迴流銲 降溫 吸濕 Vapor Pocket JEDEC分類 30°C / 60%RH / 696H 4 Weeks @ 30°C / 90%RH Bag + Desiccant Limited 2a 30°C / 60%RH / 72H 48 Hours @ 3