星用低噪声场效应晶体管的可靠性研究.pdfVIP

星用低噪声场效应晶体管的可靠性研究 刘晨晖 (信息产业部电子十三所 石家庄050002) [摘要)本文介绍了星用C波段低噪声场效应晶体管研制过程中材料、0.25wn精细准T0 型栅、金属化系统、Si3N钝‘化、装架技术和颗粒噪声 (PNID)等多项可靠性专题研究。 给出了研制的高可靠低噪声GaAsFET在4GHz下的测试结果:噪声系数N,0.6dB(最佳 值。.44dB)，相关增益Gp12dB(最佳值14DdB). [关键词]GaAsFET，低噪声，可靠性 ReliabilityInvestigationoftheLowNoise FETforSatelliteApplication LiuChenhui (The13thinstitute,MinistryofEl,Shijiazhuang,050002) Abstract:Thereliabilityinvestigationsofthematerial,0.25umfniequasiTgate, metallization,Si3N4passivation,assemblyandPNIDinCbandlownoiseFETsforsatellite applicationarepresented,andthemeasurementsofhighreliablelownoiseGaAsFETat4GHz aregivenasfollows:noisefigureNrlessthan0.6dB(optimalvalue:0.44dB),associatedgain乌 greaterthan12dB(opfmalvalue:14.00). 一、引言 随着我国航天事业的发展，星用半导体器件和电路的需求量日益增大。为了满足通 讯卫星对场效应晶体管的性能和可靠性要求，在器件的电参数、结构、材料、工艺设计以 及研制、生产、筛选、考核的全过程中都要考虑可靠性至关重要。我们在星用C波段低 噪声。tAsFET的研制过程中开展了材料、0.25um精细准`T型栅、金属化系统、Si3N, 钝化、装架技术和颗粒噪声等多项可靠性专题研究，成功研制了高可靠低噪声GaAsFET. 二、原理及可靠性设计 众所周知，微波低噪声GaAsFET的噪声遵循以下规律: F,1+KtC抓Rg+R,Ygo,)a 月十K双(RS十R.)/,)n/fT 式中，f一工作频率,fT一特征频率·CV-栅源电容， ‘一跨导， 凡一栅极电阻，R一源极电阻， K一 与材料有关的系数 加澎忘老通苗麟 从上式可知，要降低嗓声系数就要提高GaAs材料的质量，提高特征频率，减小栅 极电阻和源极电阻。特征频率与栅长成反比，缩短枷长是提高fT的有效办法。性能优良的 微波GaAsFET都是在保证成品率的同时把栅长尽可能地减小。但是椒长与栅阻成反比， 为了解决这个矛盾，采用了。25um精细准T”型栅(如图1所示)，在缩短有效栅长 (保 证0.3um)的同时，又大幅度减小了栅阻，其阻值约为同栅长矩形栅的1/3，还使栅极的 可靠性得到了提高。 用汽相外延 (VPE)和分子束外延 (MBE)均能制备出性能优良的GaAs外延片， 但MBE材料的外延层厚度和参杂浓度可精确控制，有更高的均匀性和重复性，更有助于 可靠性的提高。因此选用SI-N-N-N+结构的MBE外延材料 (如图1所示))o 图1GaAs材料和准 “T型栅结构示意图 经过优化设计。此GaAsFET采用单栅结构，栅极几何长度为Ium (有效栅长为 0.3um),栅宽400um,源漏间距为4um,双键合点。经拟合得到的噪声系数为。4dB 在完成结构设计之后，电参数的控制成为关键问题，有效控制栅电极下的有源层厚度至关 重要。适当挖去栅电极附