半导体量子阱的光吸收研究Study on optical absorption of semiconductor quantum well.pdfVIP

第1 章 概述 第1 章 概述 1.1 半导体量子阱简介 半导体量子阱是用带隙大小不同的两种半导体材料相间排列而且对电子 或空穴具有明显量子限制效应势阱。半导体量子阱形成原理如下（AlAs 和 Al Ga As 为例），用分子束外延的方法交替生长AlAs 和Al Ga As 薄层，在宽 x 1-x x 1-x 带隙的Al Ga As 中掺以施主杂质，而在AlAs 层中不掺杂。电子将发生转移，即 x 1-x 从宽带隙的Al Ga As 向窄带隙的AlAs 转移，直到两侧达到同一费米能级。这样 x 1-x 一来就会Al Ga As 一侧形成电子的耗尽层。而AlAs 一侧出现电子累积。这样， x 1-x [6] AlAs 层中的电子被限制在窄势阱中运动，我们称这样的势阱为半导体量子阱 。 用带隙大小不同的多层半导体材料相间排列，当势垒层很厚时，使得相邻势 阱间载流子波函数几乎不发生耦合，那么这样的多层结构称为多量子阱。当 势垒层很薄时，相邻势阱间将出现强烈耦合，这就使得原先在各量子阱中分 立的能级扩展成能带，耦合后能带的宽度及位置与势阱的深度、宽度及势垒 的厚度有关，我们把具有这种特性的多量子阱称为超晶格。光通信是现代通信 的主要方式，当我们能够让通讯波长满足太赫兹波段，太赫兹光子器件必须对应 出现。进一步完善半导体分子束外延生长技术，太赫兹光子器件则可以通过半导 体量子阱来实现。如果要求太赫兹光子器件达到应用要求就必须改变半导体量子 阱光学性质。改变半导体量子阱光学性质有很多种方法，最常用的主要有两种。 其一是应用能带工程由材料直接生长得到所要求的量子阱器件。其二是对量子阱 [7,8] 施加外加电场和磁场来制造影响，实现器件能带结构控制 。这两种方法可以结 合起来使用。我们主要研究通过量子阱器件在外场作用下产生的各种效应来改变 量子阱光学特性，例如弗伦兹一凯尔迪什效应和量子约束斯塔克效应。 1.2 太赫兹电磁波以及太赫兹技术简介 太赫兹 （THz ）电磁波是指频率处于0.3~10THz （1T=1012 ）的电磁波，从频率 上看，在微波和红外线之间，如图1.1 所示。由于太赫兹波段两侧的微波技术 以及红外技术达到非常成熟的程度，而太赫兹技术起步较晚，还有很多理论 和实验上的空白，主要的原因在于这个频段的电磁波，用适合微波的理论或 者是用适合用光学理论来处理都不太可行。这样一来就使得与太赫兹波段的 研究结果和数据很少，因为要研究赫兹波段必然要求有相应的太赫兹源和探 测器。到目前为止还受到有效太赫兹产生源和灵敏探测器的限制，这一波段 [1] 的电磁波也因此被称为 THz 间隙。近些年来，由于自由电子激光器 、量子 第 1 页 第1 章 概述 [2,3] [4] 级联激光器 、负有效质量振荡器 以及超快激光技术的迅速发展，则得到 稳定而可靠的太赫兹激发光源成为可能，那么太赫兹电磁波的发射机制、应 用技术以及检测技术等各方面研究都得到迅速发展，各国科研人员在太赫兹 图1.1 （THz ）太赫兹波在电磁波中位置 技术研究方面成果显著。鉴于太赫兹技术能够在许多领域有广泛的应用，例 如宽带通信、微波定向，半导体 （量子阱）材料以及高温超导材料的光学性 [5] 质研究等 ，因此在全球范围内掀起一股 THz 研究热潮。2004 年，美国的 《Tech.Rev 》杂志将THz 技术评为“改变未来世界的十大技术”之四，200