高密度超分辨近场光信息存储研究.pdfVIP

中国感光学会2008非银盐影像技术及材料发展与应用学术研讨会论文集 9 高密度超分辨近场光信息存储 易家祥1，管卫文2，张复实1 (1．清华大学化学系，北京100084；2．北京利云技术开发公司，北京100091) 摘 要：在现今信息飞速增长的时代，高密度大容量信息存储的重要性不言自明。从传统 的超分辨光盘技术发展起来的超分辨近场结构(Super-RENS)，基于近场光学方法，使信息 记录单元尺寸突破了经典光学分辨率的衍射极限，成为最有潜力取得实用的超高密度光信息 存储技术之一。综述了超分辨近场结构的机理、研究现状及材料的发展，提出了研究中的实 际问题，并对超分辨近场结构未来的发展前景进行了展望。 关键词：超分辨近场结构；机理；相变孔径型；中心散射型 1引言 自1982年Philips和Sony推出第一张数字激光唱片至今，光信息存储获得了极大发展。 然而现代社会由‘丁-其信息爆炸式发展的特点，对信息存储不断提出更高的要求，发展更高密 度和更快速度的光信息存储技术的重要性和紧迫性不言自明。 现有的提升光存储密度的方法主要分为两个方面：一是缩短记录波长，例如从650nm 的红光工作波长(DⅥ))到405nm的蓝紫光IT作波长(BD)；二是提高光学头的数值孔径。 但是这些远场记录方法由于受经典光学分辨率的锐利衍射极限所皑¨，对于提高存储密度的 效果仅是有限的数倍至十数倍(数值孔径增大还将带米记录信息失真)，而基于局域场中隐 失波与物质相互作用的近场光存储【2J，可以突破锐利极限，使其分辨率与波长无关，从而理 论上可以无限缩小光信息记录单元，在实际应用中也可以带米存储密度数十倍甚至数百倍的 提高，冈此近场光存储被认为在超高密度光信息存储方便具有巨人潜力，近年来成为研究的 热点。 近场光存储的基本原理是：当光通过一个纳米尺寸的小孔，并且在亚波长距离内到达存 储介质，则在此距离内光路可近似按儿何光学处理，记录单元尺寸由小孔尺寸决定。贝尔实 验室的E．Botzig等于1992年率先将近场光学显微术引入光存储，其记录密度高达 illlnlersion resolution 固体浸没透镜14J(Solid lens，SIL)、超分辨率近场结构Super-RENS(super near-field structure)、纳米孔径激光器NAL(nano．aperturelas神、纳米孔径垂直腔表面发射 阵列激光器NA．VCSEL(nano．aperturevertical．cavisurface-emittinglaser)、双光子、波导光头、 微孔加小球等等多种存储方案。在这些方案中，较有代表性的是SNOM和SIL，这两种方 案都能有效地提高存储密度，但是对于需要在高速转动的光盘上稳定地保持光头和介质之间 距离而言难度太大，此外还存在读写速度慢、透光效率低、透镜制作困难、易受污染等问题。 1998年，日本通产省工业技术研究院产业技术融合研究所的J．Tominaga博士提出超分 辨近场结构(Super-RENS)光盘pJ，巧妙地解决了上述问题。 2超分辨率近场结构(Super-RENS)及其特点 Super-RENS的光学系统与远场系统类似，区别在丁在两层保护层之间增加了一层具有 非线性光学性质或表面等离子激元长增强效应的掩膜层，掩膜层与记录层之间的保护层厚度 为数十纳米。这种方法集合了超分辨技术(1991年在磁光盘中率先实现了磁致超分辨光盘) 10 中国感光学会2008非银盐影像技术及材料发展与应用学术研讨会论文集 和近场光学记录的优点，当入射激光的能量密度超过一定阈值后，掩膜层产生纳米孔径效应 而开孔(非线性掩膜层上的孔径可以方便地通过入射激光的功率进行调整)，由于激光强度 的高斯分布及局域场增强效应，通过掩膜层纳米光孔的出射光束尺寸缩小，并且在近场距离 之内到达记录层，从而实现近场信息的记录。在记录的过程中，激光通路中的空气被变为厚 度易于控制的薄膜，有效地解决了高速读写过程中近场飞行高度控制及机械损伤的问题。 幅减少系统开发费用，加之结构简单，在技术的实用化上有很好的前景，因此受到高度重视， 迅速成为研究热点并不断得到发展。 现有的Super-RENS主要分为相变孔径型、散射中心型两大类。对各种类型的 Super-RENS，材料和机理是研究的关键